国产精品成人网站,日韩视频二区,亚洲成人手机电影,怡红院国产

飛諾飛科技（上海）有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

17317784455

當(dāng)前位置：飛諾飛科技（上海）有限公司>>G 材料與配件>> 金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

參  考  價(jià):￥1000 - ￥10000
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)

  • 品牌

    其他品牌

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)商

  • 所在地

    上海市

更新時(shí)間：2023-10-13 11:56:50瀏覽次數(shù)：2911次

聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 儀表網(wǎng)
同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品更多>
產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 加工定制 否
我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

金硅面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器

概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導(dǎo)體探測(cè)器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對(duì)能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對(duì)能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測(cè)量的探測(cè)器。

 

技術(shù)規(guī)格

 

 

型號(hào)

 

 

工作電壓

 

 

耗盡區(qū)厚度 μm

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量能量分辯率 1.2?

對(duì)比ORTEC

U-016-300-100 型

探測(cè)器

（Am-241 面源） 真空下測(cè)量峰道址202

A-AS20

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

A-AS26

5~300VDC

大于 1000

0.7~1.4?

204~206

B-AS20

5~300VDC

大于 1000

4.0~4.9?

189-191

B-AS26

5~300VDC

大于 1000

4.2~4.9?

189-191


會(huì)員登錄

×

請(qǐng)輸入賬號(hào)

請(qǐng)輸入密碼

=

請(qǐng)輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏！
標(biāo)簽：
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用：

提示

X
您的留言已提交成功！我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
撥打電話
在線留言