功率器件靜態(tài)測(cè)試儀igbt測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3500V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

可定制夾具；

納安級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量；

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)功率器件靜態(tài)測(cè)試儀igbt測(cè)試設(shè)備感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們