LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓。此外，還可以根據(jù)客戶要求，搭配相應(yīng)的光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試相應(yīng)的光學(xué)性能。led反向漏電流測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表

（典型二極管I-V特性曲線）                                    （LED光電測(cè)試系統(tǒng)示意圖）

Vf正向?qū)妷簻y(cè)試

正向?qū)妷海荓ED在正常工作電流下測(cè)量的電壓值。當(dāng)加載在LED兩端的工作電壓，低于導(dǎo)通電壓時(shí)，通過LED的電流極小，不發(fā)光。當(dāng)電壓超過該值后，通過LED的電流隨電壓迅速增加，而后LED發(fā)光。常用測(cè)試方法為，將LED的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，逐漸增加LED的電流（電流值一般為幾mA），并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓（電壓值范圍在幾V以內(nèi)）。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，得到相應(yīng)的Vf值。

Vr 反向擊穿電壓測(cè)試

反向擊穿電壓，是所允許加載在LED兩端的Z大反向電壓。當(dāng)二極管兩端的反向電壓超過Vr后，反向電流會(huì)急劇增大，二極管將失去單方向?qū)щ娞匦?，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。若長(zhǎng)時(shí)間工作電壓超過Vr，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。常用測(cè)試方法為，將LED的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，逐漸增加LED的電流（電流值一般為幾mA），并同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓（電壓值范圍在幾V以內(nèi)）。而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，得到相應(yīng)的Vr值。由于源表可作為四象限工作的電壓源，因此，在測(cè)試時(shí)，無(wú)需將接線端反接。源表內(nèi)部會(huì)自動(dòng)根據(jù)設(shè)定值，切換輸出端的極性。

Ir漏電流測(cè)試

漏電流，指LED處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，流過二極管的微弱反向電流。此時(shí)，LED兩端的電壓低于Vr。常用的測(cè)試方法為，將LED的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，而后根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要，設(shè)定加載在LED兩端的電壓，測(cè)量電流Ir。

繪制LED I-V特性曲線測(cè)試

連接

如下圖所示，選擇合適的夾具，將LED與S型源表進(jìn)行連接

（源表測(cè)試連接示意圖）

S型源表簡(jiǎn)介

普賽斯S系列高精度源表，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體。產(chǎn)品Z大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，分辨率低至10pA，支持四象限工作，因此,可廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體器件I-V電特性測(cè)試，如半導(dǎo)體IC，功率半導(dǎo)體器件，傳感器，LED等。產(chǎn)品具有如下特點(diǎn)：

• 采用5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作，操作簡(jiǎn)單方便

• 內(nèi)置豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

• 四象限工作模式，可在源模式或肼模式下工作

• 支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測(cè)試報(bào)告

• 兼容多種上位機(jī)通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

• 可搭配普賽斯自主開發(fā)的上位機(jī)軟件使用，快速實(shí)現(xiàn)不同器件的測(cè)試

普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下n安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，led反向漏電流測(cè)試源表就找普賽斯儀表