為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測(cè)量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性?xún)r(jià)比，提高測(cè)試效率以及產(chǎn)線UPH。

         IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在從測(cè)量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。

         IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持 3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

         IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國(guó)際市場(chǎng)上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國(guó)出口管制的升級(jí)，對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠家來(lái)說(shuō)既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來(lái)，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推動(dòng)J端產(chǎn)品落地應(yīng)用，真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)就找武漢普賽斯儀表