光耦特性曲線(xiàn)測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3500V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

可定制夾具；

納安級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量；

系統(tǒng)簡(jiǎn)介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、n安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法    靈活，方便用戶(hù)添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線(xiàn)、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專(zhuān)用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿(mǎn)足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線(xiàn)。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至p安級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率最高支持1MHz。

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；  
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、n安級(jí)漏電流測(cè)試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

測(cè)試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線(xiàn)掃描，C-V特性曲線(xiàn)掃描等

更多有關(guān)光耦特性曲線(xiàn)測(cè)試設(shè)備詳情找普賽斯儀表專(zhuān)員為您解答，普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！