當前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導體器件測試儀器儀表>>功率器件測試系統(tǒng)>> PMST-3500V高電流+大電壓功率半導體測試設備
產地 | 國產 | 加工定制 | 否 |
---|---|---|---|
集電極-發(fā)射極最大電壓 | 3500V | 最大電流 | 6000A |
漏電流測試范圍 | 1nA~100mA |
單臺Z大3500V輸出;
單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;
15us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標全指標的自動化測試;
可定制夾具;
納安級電流和uΩ級電阻測量;
系統(tǒng)簡介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件,可根據測試項目需要,設置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據可保存與導出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。
測試主機內部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計,測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz。
系統(tǒng)特點
高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);
大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
高精度:支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試;
豐富模板:內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
配置導出:支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
數(shù)據預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
模塊化設計:內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據用戶測試場景定制化開發(fā);
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產品,普賽斯提供
整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產品的測試。
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
更多有關高電流+大電壓功率半導體測試設備詳情找普賽斯儀表專員為您解答,普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景
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