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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第2年

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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體器件測(cè)試儀器儀表>>半導(dǎo)體器件測(cè)試儀>> PMST-1000A功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

參   考   價(jià): 1000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)PMST-1000A

品       牌普賽斯儀表

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

更新時(shí)間:2024-01-02 09:56:22瀏覽次數(shù):187次

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產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 加工定制
集電極-發(fā)射極?最大電壓 3500V 最大電流 6000A
漏電流測(cè)試范圍 1nA~100mA
普賽斯功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。

普賽斯功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活,方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

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測(cè)試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。

測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率最高支持1MHz。


系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV);

大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián));

高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試;

豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);


系統(tǒng)參數(shù)

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測(cè)試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等



測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

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普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,更多有關(guān)功率半導(dǎo)體器件igbt靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)信息找普賽斯儀表專員為您解答!

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