1700V/1000A功率半導體器件靜態(tài)測試設備特點和優(yōu)勢：

單臺Z大3500V輸出；

單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測量；

國標全指標的自動化測試；

可定制夾具；

納安級電流和uΩ級電阻測量；

系統(tǒng)簡介 

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法    靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz。

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；  
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；
配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；
數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試。

測試項目

集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

更多有關1700V/1000A功率半導體器件靜態(tài)測試設備詳情找普賽斯儀表專員為您解答，普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景