IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試難點(diǎn)

    IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測(cè)試帶來(lái)了一定的困難:

1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測(cè)試;2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

3、IGBT的電流輸出能力很強(qiáng),測(cè)試時(shí)需要快速注入1000安級(jí)電流,并完成壓降的采樣;

4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬(wàn)伏不等,需要測(cè)量?jī)x器具備高壓輸出和高壓下納安級(jí)漏電流測(cè)試的能力;

5、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯，嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供us級(jí)電流脈沖信號(hào)減少器件自加熱效應(yīng);

6、輸入輸出電容對(duì)器件的開關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測(cè)試十分有必要。

高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備解決方案

   普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

圖5:IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

“雙高"系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

    高電壓、大電流

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測(cè)量

    納安級(jí)漏電流,  μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測(cè)量

    模塊化配置

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

    測(cè)試效率高

    內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

技術(shù)參數(shù)

測(cè)試夾具

針對(duì)市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供

整套測(cè)試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。