當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體器件測試儀器儀表>>數(shù)字源表>> S100高精度源表測試半導(dǎo)體芯片
產(chǎn)地 | 國產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
---|---|---|---|
工作環(huán)境 | 25±10℃ | 測試范圍 | 0~300V/0~3A |
測試精度 | 0.03% |
高精度源表測試半導(dǎo)體芯片認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場景。
源表特點:
多功能:可作源和負(fù)載,又能測;
高效率:滿足多種測試需求;
可編程控制:高精度可調(diào),靈活控制;
IV掃描:快速、直觀顯示,一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域:
分立半導(dǎo)體器件特性測試,電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件;
能量與效率特性測試,LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測試,電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測試,電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測試,石墨烯、納米線等
測試功能:
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測試,輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測試,輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷?、正向電流、反向擊穿電壓、反向漏電?/span> |
2 | 三極管 | L-IV測試,輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測試,輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測試,輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測試,充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測試,放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測試、輸入曲線、輸出曲線 |
S系列源表特點:
5寸800*480觸摸顯示屏,全圖形化操作
內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測試,如LIV、PIV
源及測量的準(zhǔn)確度為0.1%,分辨率5位半
四象限工作(源和肼),源及測量范圍:高至300V,低至10pA
豐富的掃描模式,支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描
支持USB存儲,一鍵導(dǎo)出測試報告
支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
高精度源表測試半導(dǎo)體芯片優(yōu)勢:
1、 多功能測量需求下的廣泛的適應(yīng)性,電壓高300V,電流低至100pA;
2、 實現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測量同步進(jìn)行,提高測試效率。
3、 具備對測試器件的保護(hù)功能,可進(jìn)行自我限制,避免因過充而造成的對測試器件的損害;
精確的電壓電流限制功能,為器件提供完善的保護(hù)功能,避免器件損壞。
4、 觸屏圖形化操作,使用簡單。開放式平臺,可根據(jù)實際應(yīng)用的需求而針對性的開發(fā)軟件。
國產(chǎn)優(yōu)勢
1、自主研發(fā),符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求;
2、性價比高;
3、可及時與客戶溝通,為客戶提供高性價比系統(tǒng)解決方案。及時指導(dǎo)客戶編程,加速測試系統(tǒng)開發(fā)。
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