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當前位置：武漢普賽斯儀表有限公司>>半導體器件測試儀器儀表>>半導體器件測試儀>> E300IGBT模組動態(tài)參數測試儀器
| 產地 | 國產 | 加工定制 | 否 |
|---|---|---|---|
| Z大輸出功率 | 300W，3000V/100mA（不同型號有差異）； | 輸出電壓建立時間 | < 5ms； |
| 輸出接口 | KHV（三同軸），支持四線測量； |
IGBT測試難點：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數的測試。
IGBT模組動態(tài)參數測試儀器簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
技術指標
電壓性能參數：
電壓 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
電流性能參數：
電流 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
應用領域：
用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
IGBT模組動態(tài)參數測試儀器訂貨信息
型號 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
測量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
Z大功率 | 100W | 220W | 300W |
最小電壓量程 | 100V | 100V | 100V |
Z大電壓量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
最小電流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
Z大電流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
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