E300-IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器-武漢普賽斯儀表有限公司

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	加工定制	否
Z大輸出功率	300W，3000V/100mA（不同型號(hào)有差異）；	輸出電壓建立時(shí)間	< 5ms；
輸出接口	KHV（三同軸），支持四線測(cè)量；

IGBT簡(jiǎn)介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中，如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu"，被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。

IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

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IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器簡(jiǎn)介

高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

技術(shù)指標(biāo)

電壓性能參數(shù)：

電壓	源		測(cè)量
量程	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1000V	100mV	0.1%±300mV	100mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3000V	300mV	0.1%±900mV	300mV	0.1%±900mV

電流性能參數(shù)：

電流	源		測(cè)量
量程	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)	分辨率	準(zhǔn)確度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

應(yīng)用領(lǐng)域：

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器訂貨信息

型號(hào)	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
測(cè)量精度	0.1%	0.1%	0.1%
Z大功率	100W	220W	300W
最小電壓量程	100V	100V	100V
Z大電壓量程	1000V	2200V	3000V
最小電流量程	1uA	1uA	1uA
Z大電流量程	100mA	100mA	100mA