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當(dāng)前位置:武漢普賽斯儀表有限公司>>半導(dǎo)體器件測(cè)試儀器儀表>>數(shù)字源表>> S100/S200/S300國(guó)產(chǎn)源表IV測(cè)試三極管MOS管
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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測(cè)試范圍? | 0~300V/0~3A | 測(cè)試精度 | 0.03% |
Z大輸出功率 | 30W |
普賽斯S系列數(shù)字源表優(yōu)點(diǎn),四象限工作,源和負(fù)載,電壓及電流范圍廣,電流100pA~1A,電壓0.3mV~300V,準(zhǔn)確度為0.1%;5寸觸摸顯示屏圖形化操作,內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件,加速用戶完成測(cè)試;支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng)
數(shù)字源表功能介紹,精確提供四象限電壓或電流,并同步測(cè)量電流和電壓;可以實(shí)現(xiàn)電源、萬(wàn)用表、電子負(fù)載、電源/測(cè)量組合功能。
集五臺(tái)儀器的功能于一體。1. 精密電源,帶有電壓和電流讀數(shù)功能真實(shí)電流源;2. 數(shù)字萬(wàn)用表(DCV、DCI、阻抗和功率,6-1/2 分辨率 );3. 精密電子負(fù)載;4. 脈沖信號(hào)發(fā)生器;5. 觸發(fā)控制器。
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試,電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC等;能量與效率特性測(cè)試,LED/AMOLED、太陽(yáng)能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等;傳感器特性測(cè)試,電阻率、霍爾效應(yīng)等;有機(jī)材料特性測(cè)試,電子墨水、印刷電子技術(shù)等;納米材料特性測(cè)試,石墨烯、納米線等;
普賽斯源表應(yīng)用方案:二極管IV測(cè)試、激光二極管LIV測(cè)試、三極管MOS管IV測(cè)試、APD管IV測(cè)試、太陽(yáng)能電池板特性參數(shù)測(cè)試、電池充放電特性參數(shù)測(cè)試、電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試;普賽斯數(shù)字源表額外功能(軟件實(shí)現(xiàn)的):二極管IV掃描及參數(shù)分析、三極管IV掃描及參數(shù)分析、LIV測(cè)試系統(tǒng)、太陽(yáng)能電池放電測(cè)試系統(tǒng)、電池充放電循環(huán)系統(tǒng)等;
國(guó)產(chǎn)源表IV測(cè)試三極管MOS管需要幾臺(tái)源表?搭建方案示意圖?
①、三極管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間,一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間;MOS管測(cè)試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間,一臺(tái)加在漏極與源極之間;需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用,或使用插卡式直流源表;
②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V,基于Z高性價(jià)比考慮,其中一臺(tái)使用S100即可,另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定;
選擇普賽斯儀表的理由:
1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
技術(shù)雄厚,多項(xiàng)磚利,自主可控
2、可定制化方案
聚焦鮮進(jìn)器件,提供成熟可落地定制化方案
3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
國(guó)貨精品,品質(zhì)保障,對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品
請(qǐng)輸入賬號(hào)
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