源表之三極管MOS管擊穿電壓測試需要幾臺(tái)源表？搭建方案示意圖？
①、三極管測試時(shí)一臺(tái)加在基極與發(fā)射極之間，一臺(tái)加在集電極與發(fā)射極之間；MOS管測試時(shí)一臺(tái)加在柵極與源極之間，一臺(tái)加在漏極與源極之間；需要使用兩臺(tái)直流源表同步觸發(fā)使用，或使用插卡式直流源表；

②、三極管的基極及MOS管的柵極一般耐壓值較低于30V，基于高性價(jià)比考慮，其中一臺(tái)使用S100即可，另一臺(tái)根據(jù)三極管的集電極或MOS管的漏極耐壓而定；

源表之三極管MOS管擊穿電壓測試找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，對標(biāo)美國2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源"的輸出和“表"的測量同步進(jìn)行，提高測試效率；支持四象限工作，測量范圍廣，電壓高至300V，電流低至100pA；支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏圖形化操作，內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測試；支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)；

產(chǎn)品特點(diǎn)
5寸800*480觸摸顯示屏，全圖形化操作

內(nèi)置強(qiáng)大的功能軟件，加速用戶完成測試，如LIV、PIV

源及測量的準(zhǔn)確度為0.1%，分辨率5位半

四象限工作（源和肼），源及測量范圍：高至300V，低至10pA

豐富的掃描模式，支持線性掃描、指數(shù)掃描及用戶自定義掃描

支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出測試報(bào)告

支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)

S系列源表技術(shù)參數(shù)

Z大輸出功率：30W，4象限源或肼模式；

源限度：電壓源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；

電流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；

過量程： 105%量程，源和測量；

穩(wěn)定負(fù)載電容：<22nF；

寬帶噪聲(20MHz)：2mV RMS（典型值），<20mV Vp-p（典型值）；

線纜保護(hù)電壓：輸出阻抗1KΩ，輸出電壓偏移<80uV；

Z大采樣速率：1000 S/s；

觸發(fā)：支持IO觸發(fā)輸入及輸出，觸發(fā)極性可配置；

輸出接口：前后面板香蕉頭插座輸出，同一時(shí)刻只能用前或者后面板接口；

通信口：RS-232、GPIB、以太網(wǎng)；

電源：AC 100~240V 50/60Hz；

工作環(huán)境：25±10℃；

尺寸：106mm高 × 255mm寬 × 425mm長；

S系列源表應(yīng)用

•分立半導(dǎo)體器件特性測試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；

•能量與效率特性測試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等

•傳感器特性測試，電阻率、霍爾效應(yīng)等

•有機(jī)材料特性測試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等

•納米材料特性測試，石墨烯、納米線等

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