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半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀iv+cv曲線分析
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備IV+CV曲線掃描儀
半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備iv+cv一鍵測(cè)量
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)是表征和分析半導(dǎo)體材料的重要手段,可根據(jù)霍爾系數(shù)的符號(hào)判斷材料的導(dǎo)電類型?;魻栃?yīng)本質(zhì)上是運(yùn)動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉(zhuǎn),當(dāng)帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中,這種偏轉(zhuǎn)就導(dǎo)致在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負(fù)電荷的聚積,形成附加的橫向電場(chǎng)。
根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度,以及載流子濃度同溫度的關(guān)系,由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能;通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率,用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布;測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。與其他測(cè)試不同的是霍爾參數(shù)測(cè)試中測(cè)試點(diǎn)多、 連接繁瑣,計(jì)算量大,需外加溫度和磁場(chǎng)環(huán)境等特點(diǎn),在此前提下,手動(dòng)測(cè)試是不可能完成的。
普賽斯儀表開(kāi)發(fā)的國(guó)產(chǎn)源表搭建半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)幾千到至幾萬(wàn)點(diǎn)的多參數(shù)自動(dòng)切換測(cè)量,系統(tǒng)由S系列國(guó)產(chǎn)源表,2700矩陣開(kāi)關(guān)和S型測(cè)試軟件等組成。可在不同的磁場(chǎng)、溫度和電流下根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度和霍爾遷移率,并繪制曲線圖。在半導(dǎo)體制程的晶圓基片和離子注入等階段,或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應(yīng)的測(cè)試。
需要測(cè)試的參數(shù):
電阻率
霍爾系數(shù)
載流子濃度
霍爾遷移率特性曲線
范德堡法
需要的儀器列表:
國(guó)產(chǎn)S型源表
開(kāi)關(guān)
變溫器
可變磁場(chǎng)
軟件
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