單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD-安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司

產(chǎn)地	國產(chǎn)	加工定制	否

單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD

我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。

1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。

2.使用滑軌爐實現(xiàn)快速升溫和降溫。

3.設(shè)備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長

單溫區(qū)滑軌式PECVD系統(tǒng) BTF-1200C-SL-PECVD

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品型號：	BTF-1200C-SL-PECVD
實驗機理：	PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm³電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
技術(shù)參數(shù)：	開啟式真空管式滑軌爐反應(yīng)腔體尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100 加熱元件：電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）加熱區(qū)長度：440mm 恒溫區(qū)長度：200mm（±1℃）工作溫度：1100℃ 溫度：1200℃ 控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能控溫精度：±1℃ 升溫速率：10℃/min 爐門結(jié)構(gòu)：開啟式工作電源：AC220V /50HZ 額定功率：3KW
	真空泵和閥門采用KF25系列波紋管和手動擋板閥；真空度可達10^-3torr；數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。
	質(zhì)量流量計控制氣路系統(tǒng)（可來圖訂制）內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量；氣體流量范圍可選，誤差為±1.5%；一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥；不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。
	射頻電源與匹配器電源：單相50/60Hz 220v±10% 加熱（功率）電源：2.5KW，25A 控制柜電源空氣開關(guān)：32A空氣開關(guān) 薄膜生長室溫度：室溫~ 1200℃ 射頻頻率：13.56MHz 射頻功率輸出范圍：5~500W