擴(kuò)散硅傳感器是將被測(cè)介質(zhì)的兩種壓力通入高、低兩壓力室，低壓室壓力采用大氣壓或真空，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側(cè)隔離膜片上，通過隔離片和元件內(nèi)的填充液傳送到測(cè)量膜片兩側(cè)。
該壓力傳感器是由測(cè)量膜片與兩側(cè)絕緣片上的電極各組成一個(gè)電容器。當(dāng)兩側(cè)壓力不一致時(shí)，致使測(cè)量膜片產(chǎn)生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側(cè)電容量就不等，通過振蕩和解調(diào)環(huán)節(jié)，轉(zhuǎn)換成與壓力成正比的信號(hào)。
下面小編要為大家介紹的是擴(kuò)散硅傳感器所具備的特點(diǎn)：
1、適合制作小量程的傳感器
硅芯片的這種力敏電阻的壓阻效應(yīng)在零點(diǎn)附近的低量程段無死區(qū)，制作壓力傳感器的量程可小到幾個(gè)Kpa。
3、精度高。由于傳感器的感受、敏感轉(zhuǎn)換和檢測(cè)三部分由同一個(gè)元件實(shí)現(xiàn)，沒有中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，重復(fù)性和遲滯誤差較小。由于單晶硅本身剛度很大，變形很小，保證了良好的線性。
2、輸出靈敏度高
硅應(yīng)變電阻的靈敏因子比金屬應(yīng)變計(jì)高50～100倍，故相應(yīng)的傳感器的靈敏度就很高，一般量程輸出為100mv左右。因此對(duì)接口電路無特殊要求，使用比較方便。
4、由于工作單性形變低至微應(yīng)變數(shù)量級(jí)，彈性芯片大位移在亞微米數(shù)量級(jí)，因而無磨損，無疲勞，無老化，壽命長達(dá)1×103壓力循環(huán)，性能穩(wěn)定，可靠性高。
5、由于硅的優(yōu)良化學(xué)防腐性能，即使是非隔離型的擴(kuò)散硅傳感器，也有相當(dāng)程度的適應(yīng)各種介質(zhì)的能力。芯片采用集成工藝，又無傳動(dòng)部件，因此體積小，重量輕。
以上就是小編今天為大家?guī)淼娜績?nèi)容了，希望能夠?qū)δ兴鶐椭?/div>
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