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SiC和GaN器件有望大舉進入電力電子市場

行業(yè)上下游 2013年09月18日 10:09:05來源:儀表網(wǎng) 14644
摘要據(jù)媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預(yù)計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。

  導(dǎo)讀:據(jù)媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預(yù)計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
  
  近二十年來碳化硅半導(dǎo)體材料開始被行內(nèi)人士重視,因為它有許多優(yōu)勢。早在上世記50年代,在黃昆、謝希德合著的“半導(dǎo)體物理學(xué)”著作中已介紹了半導(dǎo)體碳化硅。早進入制作半導(dǎo)體器件的材料是鍺,隨后,硅和三、五族半導(dǎo)體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領(lǐng)域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設(shè)計理論有所突破,人們對更高性能的大功率半導(dǎo)體器件的期望也越來越迫切。
  
  據(jù)媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預(yù)計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
  
  SiC器件因為成熟度和可靠性更佳,發(fā)展腳步將GaN。SiC功率器件增長動力主要來自可再生能源領(lǐng)域,在太陽能市場占有率將達32%。在軌道交通領(lǐng)域,SiC和GaN的應(yīng)用相當(dāng),預(yù)計到2020年,兩者市場份額分別為16%和15%。在IT和電子設(shè)備市場,GaN較SiC更有優(yōu)勢,估計2020年市場份額可達14%。
  
  GaN剛剛起步但后勁十足,GaN是一種寬帶隙材料,可提供類似SiC的性能特色,但有更大的成本降低潛力。這一性價比優(yōu)勢是有可能實現(xiàn)的,因為GaN功率器件可在硅襯底上生長出來,與SiC襯底相比,它的成本更低。
  
  由于經(jīng)濟的不景氣和SiC的價格下降幅度并不如預(yù)期的大,SiC和GaN功率器件需求市場近幾年并沒有出現(xiàn)強烈增長。與之相反,業(yè)界對GaN技術(shù)的信心開始增長,因為更多的半導(dǎo)體供應(yīng)商宣布GaN的開發(fā)計劃。
  
  隨著國家相關(guān)政策的完善及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的崛起,電力電子技術(shù)在風(fēng)能、太陽能、熱泵、水電、生物質(zhì)能、綠色建筑、新能源裝備、電動汽車等先進制造業(yè)等重要領(lǐng)域都將發(fā)揮重要作用,而這其中的許多領(lǐng)域都在“十二五”規(guī)劃中具備萬億以上的市場規(guī)模,其必然帶動電力電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展,迎來重大的發(fā)展機遇。
  
  據(jù)悉,PEC電力電子蘇州站(10月25-26日,蘇州會議中心),將迎來業(yè)界內(nèi)企業(yè)及行業(yè)組織專家,共同探討SiC和GaN在未來的發(fā)展趨勢,以及能否真正意義上為國民經(jīng)濟帶來質(zhì)的飛躍等話題。如CREE科銳將隆重出席會議,并為觀眾帶來碳化硅器件的發(fā)展與應(yīng)用的精彩演講,來自中國科學(xué)院州納米研究所的專家,將為業(yè)內(nèi)分享GaN電力電子器件的相關(guān)知識。
  
  小知識:
  
  PEC是PowerElectronicsChina的縮寫,內(nèi)容涵蓋電力電子器件(工業(yè)/消費)、電力電子裝置、GaN/SiC材料、汽車電力電子、半導(dǎo)體制造與封裝、電能質(zhì)量、電源管理、散熱管理、磁性元件、能量儲存、無源器件以及測試測量等。
  
  蘇州內(nèi)容涵蓋電力電子市場發(fā)展趨勢等政策解讀、光伏、智能電網(wǎng)變革、能源互聯(lián)網(wǎng)、能源效率、汽車電力電子、電動交通這、GaN與SiC等。
  
  西安內(nèi)容涵蓋電力電子市場發(fā)展趨勢、國產(chǎn)大功率器件、電力電子與軌道交通技術(shù)、生產(chǎn)與配套、GaN與SiC等。

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