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摘要微型發(fā)光二極管(Micro-LED)顯示技術(shù)憑借高亮度、低功耗和高分辨率等優(yōu)勢(shì)成為當(dāng)下實(shí)現(xiàn)戶外增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用的最優(yōu)解決方案。

  【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日,北京理工大學(xué)材料學(xué)院石建兵副教授和光電學(xué)院楊高嶺副研究員合作,在量子點(diǎn)光刻膠開發(fā)方面取得重要進(jìn)展。相關(guān)研究成果以“Direct Synthesis of Perovskite Quantum Dot Photoresist for Direct Photolithography”為題發(fā)表于國(guó)際頂級(jí)期刊《Angewandte Chemie International Edition》上,該文章上線后被選為熱點(diǎn)文章(Hot Paper)。北京理工大學(xué)為唯一完成單位,周笑塵和高志遠(yuǎn)兩位碩士生為共同第一作者,石建兵和楊高嶺為共同通訊作者,董宇平教授和鐘海政教授對(duì)本工作給予了重要指導(dǎo)。
 
  微型發(fā)光二極管(Micro-LED)顯示技術(shù)憑借高亮度、低功耗和高分辨率等優(yōu)勢(shì)成為當(dāng)下實(shí)現(xiàn)戶外增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)應(yīng)用的最優(yōu)解決方案。直接光刻是一種可高通量構(gòu)建色轉(zhuǎn)換陣列,并實(shí)現(xiàn)高分辨率全彩Micro-LED顯示的圖案化技術(shù)。其中,量子點(diǎn)光刻膠是直接光刻工藝中最為核心的部分(Advanced Optical Materials 2024, 12, 2401106)。鈣鈦礦量子點(diǎn)具有高吸收系數(shù)、高熒光量子產(chǎn)率和可原位制備等優(yōu)勢(shì),成為制備量子點(diǎn)Micro-LED的最佳材料選擇之一。北京理工大學(xué)智能光子學(xué)團(tuán)隊(duì)一直從事量子點(diǎn)材料開發(fā)和應(yīng)用技術(shù)研究,是國(guó)際上最早開展鈣鈦礦量子點(diǎn)研究的實(shí)驗(yàn)室之一(ACS Nano 2015, 9, 4533,Google引用>2400次)。2016年,團(tuán)隊(duì)發(fā)明了鈣鈦礦量子點(diǎn)原位制備技術(shù)(Advanced Materials 2016, 28, 9163),經(jīng)過產(chǎn)學(xué)研合作,在全球率先推出了搭載鈣鈦礦量子點(diǎn)光學(xué)膜的電視樣機(jī)和首批商業(yè)化電視,2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。面向微顯示應(yīng)用,團(tuán)隊(duì)成員楊高嶺副研究員將鈣鈦礦的原位制備技術(shù)與直接光刻工藝相結(jié)合,2022年首次提出量子點(diǎn)原位直接光刻的概念(Nature Communications 2022, 13, 6713),解決了傳統(tǒng)光刻中曝光和顯影過程對(duì)鈣鈦礦量子點(diǎn)的破壞問題。再此基礎(chǔ)之上,楊高嶺與材料學(xué)院的石建兵副教授合作,進(jìn)一步開發(fā)出可“按需”控制活性自由基的光引發(fā)劑接枝低聚物,有效改善了量子點(diǎn)圖案陣列中的線邊緣粗糙度(ACS Applied Nano Materials 2024, DOI: 10.1021/acsanm.3c06297)。為了進(jìn)一步滿足產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用需求、減少高危溶劑的使用,發(fā)明了鈣鈦礦量子點(diǎn)的無溶劑原位直接光刻技術(shù)(Advanced Optical Materials 2024, 12, 2400486)。
 
  最近,他們通過深度挖掘量子點(diǎn)光刻膠產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn),提出了一種可在空氣環(huán)境中直接合成鈣鈦礦量子點(diǎn)光刻膠的技術(shù),如圖1所示。與傳統(tǒng)的離心、分離、分散的量子點(diǎn)光刻膠制造工藝不同,該技術(shù)利用丙烯酸異冰片酯(IBOA)作為溶劑與聚合單體,制備成可直接圖案化的量子點(diǎn)光刻膠,該直接光刻工藝無需復(fù)雜的后處理過程。
 
圖1. 一步法直接合成鈣鈦礦量子點(diǎn)光刻膠
 
  通過直接光刻工藝,可以構(gòu)建14 μm厚的色轉(zhuǎn)換膜,并實(shí)現(xiàn)幾乎無熒光損失的全彩色量子點(diǎn)圖案,如圖2所示。微米級(jí)的像素陣列邊緣清晰可辨,表面光滑平整,熒光均勻性接近100%。該光刻工藝不需要使用溶劑,原位生成鈣鈦礦量子點(diǎn),保持了高熒光量子效率,為量子點(diǎn)光刻膠的合成制備提供了全新的思路與解決方案。
 
圖2. 直接光刻構(gòu)建量子點(diǎn)像素圖案
 
  該研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、北京自然科學(xué)基金、致晶科技企業(yè)橫向項(xiàng)目等項(xiàng)目的支持。低維量子結(jié)構(gòu)與器件工信部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)中心為該研究提供了平臺(tái)。
 
  論文信息:Xiaochen Zhou, Zhiyuan Gao, Jianbing Shi,* Tianhe Li, Shunsheng Wei, Peng Huang, Pingping Zhang, Gaoling Yang.* Angewandte Chemie International Edition 2024, e202413741.
 
  附作者簡(jiǎn)介:
 
  石建兵,北京理工大學(xué)材料學(xué)院副教授,主要研究方向?yàn)橛袡C(jī)多功能材料的開發(fā)及其應(yīng)用,包括:(1) 聚集誘導(dǎo)發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用;(2) 多功能高分子材料的合成方法學(xué)及其在高端光刻膠、藥物智能控釋等領(lǐng)域的應(yīng)用。作為課題負(fù)責(zé)人,主持完成國(guó)家自然科學(xué)青年/面上基金3項(xiàng)、教育部基金2項(xiàng)、企業(yè)研發(fā)基金3項(xiàng)。自2009年9月入職北京理工大學(xué)以來,已在J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem. Int. Ed.、Macromolecules、Biomaterials、Sci. China Chem.等專業(yè)學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文100余篇 (H-index = 39) ,已獲中國(guó)授權(quán)專利7項(xiàng)。
 
  楊高嶺,北京理工大學(xué)光電學(xué)院特別副研究員,碩士生導(dǎo)師,目前從事量子點(diǎn)光刻技術(shù)及其光電應(yīng)用研究。主持國(guó)家自然科學(xué)基金面上、青年項(xiàng)目及北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目等。近5年,以第一/通訊作者在Nature Synthesis、Nature Communications、Angew. Chem. Int. Ed.、ACS Nano、Nano Letters、Advanced Functional Materials、Advanced Optical Materials、ACS Photonics等國(guó)際重要期刊發(fā)表論文30余篇,兼任Nano Research、Int. J. Extreme Manuf.、《發(fā)光學(xué)報(bào)》等雜志的青年編委。

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