【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院、中科院強耦合量子材料物理重點實驗室及合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心教授肖正國研究組，在制備高效穩(wěn)定的鈣鈦礦單晶LED領(lǐng)域取得重要進展。該研究利用空間限制法生長出高質(zhì)量、大面積、超薄的鈣鈦礦單晶，并首次制備出亮度超過86,000 cd/m2、壽命達12500 h的鈣鈦礦單晶LED，向鈣鈦礦LED應(yīng)用于人類照明邁出了重要一步。2月27日，相關(guān)研究成果以Highly bright and stable single-crystal perovskite light-emitting diodes為題，發(fā)表在Nature Photonics上。
金屬鹵化物鈣鈦礦因發(fā)光波長可調(diào)、發(fā)光半峰寬窄、可低溫制備等特性成為新一代LED顯示與照明材料。目前，基于多晶薄膜的鈣鈦礦LED(PeLED)的外量子效率(EQE)已超過20%，可媲美商用有機LED(OLED)。近年來，多數(shù)報道的高效率鈣鈦礦LED器件的壽命在數(shù)百到數(shù)千小時不等，落后于OLED。離子移動、載流子注入不平衡、運行過程產(chǎn)生的焦耳熱等因素均影響器件穩(wěn)定性。此外，多晶鈣鈦礦器件中嚴(yán)重的俄歇復(fù)合也限制器件亮度。
針對上述問題，肖正國課題組利用空間限制法在襯底上原位生長鈣鈦礦單晶，通過調(diào)控生長條件，引入有機胺和聚合物，有效提升了晶體質(zhì)量，進而制備出高質(zhì)量的MA0.8FA0.2PbBr3薄單晶【最小厚度僅為1.5 μm、表面粗糙程度小于0.6 nm、內(nèi)部熒光量子產(chǎn)率(PLQYint)達到90%】。以薄單晶作為發(fā)光層制備的鈣鈦礦單晶LED器件的EQE達到11.2%、亮度超過86,000 cd/m2、壽命達12500 h，初步達到商業(yè)化門檻，成為目前穩(wěn)定性最好的鈣鈦礦LED器件之一。該工作展示了使用鈣鈦礦薄單晶作為發(fā)光層是解決穩(wěn)定性問題的可行方案，以及鈣鈦礦單晶LED在人類照明和顯示領(lǐng)域的廣闊前景。
研究工作得到國家自然科學(xué)基金和中國科大的支持。
空間限制法生長單晶示意圖(a)、單晶的顯微鏡圖(b)、鈣鈦礦單晶LED的器件結(jié)構(gòu)(c)、鈣鈦礦單晶LED性能表征(d-f)。
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