国产精品成人网站,日韩视频二区,亚洲成人手机电影,怡红院国产

快速發(fā)布求購 登錄 注冊
行業(yè)資訊行業(yè)財(cái)報(bào)市場標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)新品會(huì)議盤點(diǎn)政策本站速遞
摘要近日,中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院先進(jìn)材料科學(xué)與工程研究所研究員楊春雷團(tuán)隊(duì)以A novel energy-resolved radiation detector based on the optimized CIGS photoelectric absorption layer為題,在Journal of Power Sources上發(fā)表了基于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜光電器件與GOS閃爍體相結(jié)合的

  【儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】X射線探測器是CT成像的核心,將肉眼看不到的“X射線”轉(zhuǎn)換為最終能轉(zhuǎn)變?yōu)閳D像的“數(shù)字化信號(hào)”。它接收到射線照射,然后產(chǎn)生與輻射強(qiáng)度成正比的電信號(hào)。

 
  通常探測器所接受到的射線信號(hào)的強(qiáng)弱,取決于該部位的人體截面內(nèi)組織的密度。密度高的組織,例如骨骼吸收x射線較多,探測器接收到的信號(hào)較弱;密度較低的組織,例如脂肪等吸收x射線較少,探測器獲得的信號(hào)較強(qiáng)。這種不同組織對(duì)x射線吸收值不同的性質(zhì)可用組織的吸收系數(shù)m來表示,所以探測器所接收到的信號(hào)強(qiáng)弱所反映的是人體組織不同的m值,從而對(duì)組織性質(zhì)做出判斷。
 
  隨著技術(shù)的發(fā)展,CT圖像的質(zhì)量有了明顯改善,分辨率也有很大的提高,但這多是以提高X射線能量為代價(jià)的。既要獲得高質(zhì)量的圖像,又要使患者盡量地少接收x射線輻射,這應(yīng)該是下一步CT改革的重點(diǎn)之一。因此就要提高探測器的靈敏度,在不增加甚至減少輻射劑量的前提下,提高圖像質(zhì)量。
 
  近日,中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院先進(jìn)材料科學(xué)與工程研究所研究員楊春雷團(tuán)隊(duì)以A novel energy-resolved radiation detector based on the optimized CIGS photoelectric absorption layer為題,在Journal of Power Sources上發(fā)表了基于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜光電器件與GOS閃爍體相結(jié)合的間接型X射線探測器研究進(jìn)展,該探測器具有高靈敏度和能量分辨能力,器件中使用的CIGS薄膜光電材料具有低成本、高效率及可大面積制作等優(yōu)勢。
 
  瞄準(zhǔn)如何提高輻射探測器的探測率以及如何獲得能量分辨這兩個(gè)核心難題,研究人員從材料和器件結(jié)構(gòu)兩個(gè)方面進(jìn)行了創(chuàng)新設(shè)計(jì)。降低CIGS光電器件的暗電流從而提高信噪比,是CIGS應(yīng)用于探測器領(lǐng)域的核心挑戰(zhàn)。該團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)研究了Ga含量對(duì)CIGS薄膜探測器的暗電流調(diào)控并獲得了最優(yōu)的組分設(shè)計(jì),進(jìn)一步結(jié)合表面態(tài)硫化處理和引入超薄Al2O3層作為pn結(jié)界面電荷阻擋層,成功將器件的探測率從6×1013 Jones升高至2.3×1014 Jones,這是目前CIGS光電器件的最好水平。基于優(yōu)化的CIGS光電功能層與GOS閃爍體層制備的X射線探測器,探測靈敏度達(dá)到8 μCGyair-1cm-2,響應(yīng)時(shí)間為0.23-0.28 ms。
 
  為了獲得對(duì)于X射線的能量分辨能力,該研究提出了新的3D結(jié)構(gòu)X射線探測器的幾何構(gòu)型,新結(jié)構(gòu)一方面可以利用X射線在穿透深度上的空間分辨獲得能量分布信息,另一方面可以使閃爍體的可見光熒光信號(hào)傳播方向與X射線傳播方向垂直,成功解決了間接型X射線探測器在高靈敏度和高空間分辨率不可兼得的難題。
 
  該工作得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、深圳市和廣東省等科技項(xiàng)目的資助。
 
  圖1 a 3D結(jié)構(gòu)間接型X射線探測器的示意圖;b CIGS光電功能層的器件結(jié)構(gòu);c 光電器件的照片。
 
  圖2 a 研究中使用的CIGS薄膜的Ga/(Ga+In)元素比;b Ga含量0.33的樣品中各元素的空間分布;c CIGS吸收層的截面電子顯微鏡照片;d CIGS的晶體結(jié)構(gòu)示意圖;e CIGS薄膜的晶體X射線衍射圖譜;f CIGS薄膜的拉曼光譜;g CIGS光電器件的暗電流與Ga組分關(guān)系;h 表面鈍化處理后的CIGS器件的電流電壓曲線。
 
  圖3 在不同深度上的X射線探測器像素對(duì)X射線能量的敏感度對(duì)比測量,像素的標(biāo)號(hào)越大,其深度越深。
 
  資料來源:中科院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、Baidu

我要評(píng)論
文明上網(wǎng),理性發(fā)言。(您還可以輸入200個(gè)字符)

所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)。

版權(quán)與免責(zé)聲明
  • 凡本網(wǎng)注明"來源:儀表網(wǎng)"的所有作品,版權(quán)均屬于儀表網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明"來源:儀表網(wǎng)"。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
  • 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品來源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
  • 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
  • 合作、投稿、轉(zhuǎn)載授權(quán)等相關(guān)事宜,請聯(lián)系本網(wǎng)。聯(lián)系電話:0571-87759945,QQ:1103027433。
廣告招商
今日換一換
新發(fā)產(chǎn)品更多+

客服熱線:0571-87759942

采購熱線:0571-87759942

媒體合作:0571-87759945

  • 儀表站APP
  • 微信公眾號(hào)
  • 儀表網(wǎng)小程序
  • 儀表網(wǎng)抖音號(hào)
Copyright ybzhan.cn    All Rights Reserved   法律顧問:浙江天冊律師事務(wù)所 賈熙明律師   儀表網(wǎng)-儀器儀表行業(yè)“互聯(lián)網(wǎng)+”服務(wù)平臺(tái)
意見反饋
我知道了