應(yīng)中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體所所長蔡偉平研究員邀請，7月18日至22日，英國牛津儀器儀表等離子體技術(shù)公司（Oxford Instruments Plasma Technology，UK）方起研究員訪問了固體所，并作了題為“原子層沉積系統(tǒng)（ALD）的發(fā)展與應(yīng)用”的學(xué)術(shù)報告，并與該所相關(guān)科研人員進(jìn)行了座談和討論。
　　
　　ALD技術(shù)作為一種*的薄膜生長技術(shù)，已經(jīng)在高介電和半導(dǎo)體薄膜生長等多方面得到了應(yīng)用。新型高介電柵介質(zhì)材料，納米材料和納米技術(shù)以及3D電子器件等是推動ALD發(fā)展重要的需求動力。方起研究員向大家介紹了ALD基本原理、發(fā)展歷程、應(yīng)用現(xiàn)狀和未來的發(fā)展趨勢，特別是等離子體增強(qiáng)ALD的技術(shù)優(yōu)勢。方起研究員還針對ALD實驗室建設(shè)和應(yīng)用提供了專業(yè)的建議和意見。