KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件所具有的主要特性如下：
●的弱磁場下,具有較高的靈敏度;
●方向性強(qiáng),當(dāng)外加磁場平行于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度大;而當(dāng)外加磁場垂直于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度zui小且不敏感;利用這一特性可檢測外加磁場的大小和方向;
●具有飽和特性,磁阻元件的阻值隨外加磁場強(qiáng)度的增大而增加,當(dāng)外加磁場達(dá)到一定的值時(shí),KMZ210薄膜磁敏電阻元件的阻值不再增
KMZ10薄膜磁敏電阻元件的特性
KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件所具有的主要特性如下：
●的弱磁場下,具有較高的靈敏度;
●方向性強(qiáng),當(dāng)外加磁場平行于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度大;而當(dāng)外加磁場垂直于薄膜平面時(shí),器件的靈敏度zui小且不敏感;利用這一特性可檢測外加磁場的大小和方向;
●具有飽和特性,磁阻元件的阻值隨外加磁場強(qiáng)度的增大而增加,當(dāng)外加磁場達(dá)到一定的值時(shí),KMZ210薄膜磁敏電阻元件的阻值不再增加而達(dá)到飽和。利用該特性可以檢測磁場方位,因而可用于GPS導(dǎo)航等系統(tǒng);
●內(nèi)置偏置磁場*地提高了磁阻元件的抗*力和磁阻特性的穩(wěn)定性,擴(kuò)大了磁阻元件線性檢測范圍;
●KMZ210系列磁阻元器具有較高的工作頻率特性和倍頻特性;
●具有較寬的工作溫度范圍和穩(wěn)定的工作溫度性能。
4 技術(shù)參數(shù)
KMZ10系列薄膜磁阻元件的技術(shù)參數(shù)如表1所列。
KMZ10系列薄膜磁敏電阻元件可廣泛用于磁性編碼、磁阻電流傳感器和磁阻接近開關(guān)等電路。其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下：
●可制成不同規(guī)格的磁阻電流傳感器：具體規(guī)格有1A、2A、5A、10A、20A等,該磁阻電流傳感器的電流輸入端和信號輸出端絕緣,無任何電的,且具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、響應(yīng)快、溫度特性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn);
●可制成磁阻齒輪傳感器和接近開關(guān)。該器件具有優(yōu)良溫度特性,特別適用于環(huán)境條件比較苛刻（如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)的高溫和低溫）等環(huán)境;
●可制成無接觸電位器;
●可制成磁性編碼器;
●可制作磁性墨水文字圖形識別傳感器以完成墨水文字及圖形和識別。
6 結(jié)束語
薄膜磁阻元件KMZ10系列是一種結(jié)構(gòu)新穎、設(shè)計(jì)*的磁性傳感器,它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體霍爾元件和InSb磁敏電阻元件相比,具有靈敏度高、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn),其應(yīng)用開發(fā)潛力巨大,應(yīng)用領(lǐng)域很廣,相信隨著生產(chǎn)力和科技水平的提高,以磁敏電阻作核心敏感元件的傳感器必將不斷涌現(xiàn),以滿足各行業(yè)自動(dòng)化程度越來越高的需要。www.mlcc1。。ｃｏｍ
