LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
是參照半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織SEMI標(biāo)準(zhǔn)MF1535-0707及國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 26068-2010設(shè)計(jì)制造。
LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數(shù)載流子壽命測定高頻光電導(dǎo)衰減法，主要用于測量高阻長壽命單晶，現(xiàn)在已經(jīng)在天津環(huán)歐半導(dǎo)體材料有限公司、*公司第四十六研究所、峨嵋半導(dǎo)體材料廠、國泰半導(dǎo)體材料有限公司等投入使用。
技術(shù)參數(shù)：
（1）測試單晶電阻率范圍：ρ﹥3Ω•cm
（2）可測單晶少子壽命范圍：5μs~10000μs
（3）紅外光源配置： 波長1.06～1.09μm
（4）高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ
（5）前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ
（6）可根據(jù)已知壽命樣品調(diào)校測量壽命值，可調(diào)范圍廣
（7）儀器測量重復(fù)誤差：﹤±25%
（8）測量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
（9）儀器消耗功率：﹤50 W
（10）儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65%
使用電源：AC 220V，50HZ（建議配置穩(wěn)壓電源）
（11）可測單晶尺寸：
斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm
LT-1B高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀
