產(chǎn)品名稱：QL85J6S-A/B/C-E 850nm 40mW 半導(dǎo)體激光二極管 應(yīng)用于 3D動作識別
產(chǎn)品型號：QL85J6S-A/B/C-E
產(chǎn)品波長：850nm
工作電流：95mA
產(chǎn)品功率：40mW
產(chǎn)品封裝：TO-18 （5.6mmφ）
- 傳感器 - 工業(yè)光模塊 - 3D動作識別
?OVERVIEW
QL85J6S-A/B/C-L is a MOCVD grown 850nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure.
It's an attractive light source, with a typical light output power of 40mW for industrial optical module
and sensor applications.
?APPLICATION
- Sensor
- Industrial Optical Module
?FEATURES
- Visible Light Output : λp = 850 nm
- Optical Power Output : 40mW CW
- Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
- Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
?概述
QL85J6S-A/ B/ CL是MOCVD生長的850nm波段的AlGaAs激光量子阱結(jié)構(gòu)二極管。
這是一個有吸引力的光源，具有為40mW的工業(yè)光模塊的典型光輸出功率
和傳感器應(yīng)用。
?應(yīng)用
- 傳感器
- 工業(yè)光模塊
?特點(diǎn)
- 可見光輸出：λP=850納米
- 光輸出功率：40mW的CW
- 封裝類型：TO-18（5.6mmφ）
- 內(nèi)置光電二極管監(jiān)測激光二極管
