晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀說(shuō)明： |
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晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)單介紹：
DY294晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀能測(cè)試各種晶體二極管、三極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管的正向、反向電壓、正向飽和壓降、放大倍數(shù)、反向漏電流等多種直流參數(shù)；還可以測(cè)試電解電容、滌綸電容、鉭電容、獨(dú)石電容、高壓瓷片的耐壓值；可以測(cè)試壓敏電阻的保護(hù)電壓值；可以測(cè)試氖泡、霓虹燈管的起輝電壓值；還可以測(cè)試78、79系列三端穩(wěn)壓電路的穩(wěn)壓值。
參數(shù)測(cè)試儀
技術(shù)指標(biāo)：
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀功能 | 量程 | 顯示范圍 | 分辨力 | 工作條件 |
擊穿電壓V（BR） | 1000V | 0-1999A | 1V | 擊穿電流小于1mA |
200V | 0-199.9A | 0.1V | 擊穿電流小于1mA | |
共發(fā)射極飽和壓降 | 2A（Ic） | 0-6.00V | 0.01V | Ic約2000mA Ib約200mA |
800mA（Ic） | 0-6.00V | 0.01V | Ic約800mA I約80mA | |
100mA（Ic） | 0-6.00V | 0.01V | Ic約100mA Ib約10mA | |
10mA（Ic） | 0-6.00V | 0.01V | c約10mA Ib約1mA | |
三極管放大倍數(shù) | 10mA（Ib） | 0-199.9V | 0.1 | Ib約10mA |
1mA（Ib） | 0-1999 | 1 | Ib約1mA | |
1uA（Ib） | 0-1999 | 1 | Ib約0.1mA | |
三極管反向漏電流Iceo | 200μA | 0-1999μA | 1μA | Vcc約27V |
78,79三端穩(wěn)壓值 | 78xx/79xx | 0-24.0V | 0.01V | Ui約27V |
晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀參數(shù)：
1、量程范圍：0-200mT 0-2000mT
0-2000Gs 0-20000Gs
(面板量程標(biāo)示擴(kuò)大一倍)
2、基本誤差：±1% (1000mT以下)
±2% (1000mT以上)
3、分辨力：0.1mT、1mT
4、被測(cè)磁場(chǎng)：直流磁場(chǎng)（靜態(tài)磁場(chǎng)）
5、環(huán)境溫度：5℃~40℃
6、相對(duì)濕度：20%~80%（無(wú)凝露）
7、供電電源：一節(jié)9V電池
8、外型尺寸：160mm×88mm×36mm
9、儀器重量：300g
10、顯示方式：3 1/2 LCD
11、顯示單位：mT
12、備 注：1mT=10Gs
