QS30型高精密高壓電容電橋

    QS30型高精密高壓電容電橋是采用電流比較儀的原理，結(jié)合計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理，具有操作方便可靠、測量精度高、讀數(shù)位數(shù)多、線性度好，不受環(huán)境影響，儀器內(nèi)部的計(jì)算機(jī)能自動對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，直接在面板上顯示電容值及介損值tgδ和測試電壓及流經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)電容的電流（Is），并可通過打印機(jī)將測試結(jié)果打印出來或通過RS232接口將測試結(jié)果傳給電腦等優(yōu)點(diǎn)。電橋可與各類高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器配合組成高壓電容電橋，適宜于在高電壓下測量電力電纜、高壓套管、電力電容器、互感器等高壓電力設(shè)備的電容量及損耗角正切值tgδ，以及各種固體或液體絕緣材料的介電常數(shù)（ε）及損失角正切值，也可測量高壓變壓器或電壓互感器的比差和角差，還可測量電抗器的電感量及Q值，是目前國內(nèi)精度zui高、穩(wěn)定性好、操作方便、用途廣泛的高精密高壓電橋。電橋可外接電流互感器（QS30-3）以擴(kuò)大量程，測量大電容時(shí)本電橋?yàn)樗亩藴y量具有引線補(bǔ)償裝置，使測量精度提高，消除接線電阻引起的附加誤差。量程擴(kuò)展器能使主橋體的電容比從1000：1擴(kuò)大到10⁶ ：1。
主要技術(shù)指標(biāo)
    電容測量范圍0～1μF，外加量程擴(kuò)展可測1000μF以上
    電容的測量準(zhǔn)確度：±5×10^-5
    電橋tgδ范圍為-11.111%到+11.111%
    tgδx測量準(zhǔn)確度不大于±0.5% tgδx±5×10^-5
    電橋zui大工作電流：電橋標(biāo)準(zhǔn)臂zui大允許電流為30mA。通過被測臂zui大電流與倍率位置有關(guān)被測zui大不超過2A，如測試需要則需外接電流互感器zui大1000A以上。
    分辨率：當(dāng)通過標(biāo)準(zhǔn)電容器的電流為0.1mA時(shí)，且電容比率讀數(shù)*只盤為滿度時(shí)，在電橋*平衡時(shí)，其電容比及介損盤的分辨率均為1×10^-5。
    標(biāo)準(zhǔn)電容量預(yù)置范圍：0000.00到1999.99pF。
    電橋內(nèi)有過電壓保護(hù)措施，氖泡起輝電壓不超過交流30伏。
    試驗(yàn)電壓顯示：范圍0到499.9kV 分辨率為0.1Kv。
    外形尺寸：560（寬）*410（深）*390（高）毫米。
    重量：約35公斤。
QS30-3型量程擴(kuò)展器（外接， 供選購）
    技術(shù)指標(biāo)：zui大電流1000安
    精度：（當(dāng)電橋量范在1000：1時(shí)）±1×10^-5。
    也可定制擴(kuò)展量程比例更大的。

QS37a型高壓電容電橋

    QS37a主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。主要可以測量電容器、互感器、變壓器等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（ Cx）以，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個(gè)2500KV的高壓電源及一臺高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器，并將副橋和檢流計(jì)與高壓電橋有機(jī)的結(jié)合在一起，所以本電橋特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgδ）及介電常數(shù)（ε）。
    橋體本身帶有5kV/100pF標(biāo)準(zhǔn)電容，測量材料介損更為方便。
    橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
    橋體采用了多樣化的介損測量線路。
測量范圍及誤差
    在Cn＝100pF    R4＝3183.2（Ω）（即10K/π）時(shí)

    在Cn＝100pF    R4＝318.3（Ω）（即1K/π）時(shí)

Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω·Ｒ４·Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10^-5

QS37型高壓電橋

    QS37型高壓電橋主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。電橋由橋體、指另儀、跟蹤器組成，本電橋特別適用測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgδ）及介電常數(shù)（ε）。
測量范圍及誤差
在Cn＝100pF    R4＝3183.2（Ω）（即10K/π）時(shí)

在Cn＝100pF    R4＝318.3（Ω）（即1K/π）時(shí)

輔橋的技術(shù)特性
工作電壓±12V，50Hz
輸入阻抗〉10^-12　Ω
輸出阻抗〉0.6 Ω
放大倍數(shù)〉0.99
不失真跟蹤電壓 0～12V（有效值）
指另裝置的技術(shù)特性
工作電壓±12V
在50Hz時(shí)電壓靈敏度不低于1X10^-6V／格， 電流靈敏度不低于2X10^-9A／格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db