橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
橋體采用了多樣化的介損測量線路。
技術(shù)參數(shù)：
測量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2（Ω）（即10K/π）時_
測量項目測量范圍測量誤差
電容量Cx40pF--20000pF±0.5% Cx
產(chǎn)品名稱：工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
產(chǎn)品型號：BDAT-B
滿足標準：？？？GB/T 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
產(chǎn)品概述：
主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（ Cx），其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgδ）及介電常數(shù)（ε）。
橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
橋體采用了多樣化的介損測量線路。
技術(shù)參數(shù)：
測量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2（Ω）（即10K/π）時_
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF--20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介質(zhì)損耗tgδ | 0～1 | ±1.5％tgδx±1×10-4 |
在Cn＝100pF R4＝318.3（Ω）（即1K/π）時
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF--2000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介質(zhì)損耗tgδ | 0～0.1 | ±1.5％tgδx±1×10-4 |
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω·Ｒ４·Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標準電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
