雙電測四探針測試儀/四探針測試儀 型號：DP/RTS-5
DP/RTS-5型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新,將范德堡測量方法推廣應用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響。因而每次測量不必知道探針間距、樣品尺寸及探針在樣品表面上的位置。由于每次測量都是對幾何因素的影響行動態(tài)的自動修正，因此顯著降低了幾何因素影響，從而提了測量結果的準確度。所有這些，用目前大量使用的常規(guī)四探針測量方法所的儀器是無法實現(xiàn)的。
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| DP/ RTS-5型雙電測四探針軟件測試系統(tǒng)是個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地行各項測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對測試數(shù)據(jù)行統(tǒng)計分析。
測試程序控制四探針測試儀行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對數(shù)據(jù)行各種數(shù)據(jù)分析
參數(shù)： | 測量范圍 | 電阻率：0.001～200Ω.cm（可擴展）；
方塊電阻：0.01～2000Ω/□（可擴展）；
電導率：0.005～1000 s/cm；
電阻：0.001～200Ω.cm； | | 可測晶片厚度 | ≤3mm | | 可測晶片直徑 | 140mmX150mm（配S-2A型測試臺）；
200mmX200mm（配S-2B型測試臺）；
400mmX500mm（配S-2C型測試臺）； | | 恒流源 | 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調 | | 數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動顯示； | | 四探針探頭基本指標 | 間距：1±0.01mm；
針間緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）； | | 四探針探頭應用參數(shù) | （見探頭附帶的合格證） | | 模擬電阻測量相對誤差
（ 按JJG508-87行） | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 | | 整機測量Z大相對誤差 | （用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試）≤±4% | | 整機測量標準不確定度 | ≤4% | | 計算機通訊接口 | 并口 | | 標準使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無頻干擾；
無強光直射； | |
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