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YB6200 半導(dǎo)體測(cè)試儀

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  • 型號(hào)YB6200
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時(shí)間2018-05-15
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限第1年
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量15
  • 人氣值541
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         西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市政府重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來(lái)自航天、航空及半導(dǎo)體技術(shù)研究所，具有豐富的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。      
        公司于2007年引進(jìn)*進(jìn)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)，研制生產(chǎn)了YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀，該測(cè)試儀有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn)，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。
       YB6000系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀主要應(yīng)用于*、汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等領(lǐng)域。   
    西安誼邦電子科技憑借較強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力和完善的科學(xué)管理，能夠給用戶提供完善的售前售后
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誼邦電子科技YB6200半導(dǎo)體測(cè)試儀測(cè)試種類多、速度快、精度高、*性好、操作簡(jiǎn)單，編測(cè)試程序采用添加方式，數(shù)據(jù)保存為Excel表格。
半導(dǎo)體測(cè)試儀 產(chǎn)品詳情

 一、系統(tǒng)主要指標(biāo)如下：

一、主極參數(shù)

1、主極電壓： 100mV---2000V
2、電壓分辨率：100mV 
3、電壓精度：1%+100mV
4、主極電流：100nA---50A 加選件YB550向下可擴(kuò)展到20pA，
加選件YB580-X向上可擴(kuò)展到：500A ，1000A，1250A。
5、電流分辨率：100nA 加選件YB550分辨率為10NA
6、電流精度：1%+10nA+20pA/V 
二、控制極參數(shù)
1、控制極電壓：100mV---20V 加選件可擴(kuò)展到80V 
2、電壓分辨率：1mV
3、電壓精度：1%+10mV
4、控制極電流：100nA---10A 加選件可擴(kuò)展到40A
5、電流分辨率：1nA 加選件YB550分辨率為1pA
6、電流精度：1%+10nA+20pA/V
 二、測(cè)試種類
 

 

一、二極管DIODE
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IR
0.10Vto999V（2kV）（1）
100nA（100pA）（2） 
to50mA
1nA（50pA）（2）
 
 
（1%+200pA+2pA/V）（2）
BVR
0.10Vto999V（2kV）（1）
100nAto50mA
5mV
1%+100mV
VF
 
0.10V to 5.00V
to 9.99V
IF: 10uA 
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
5mV
1%+10mV
IF:1%+ 100nA
 
二、晶體管 TRANSISTOR
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
ICBO 
ICEO/R/S/X
IEBO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（ 80V）（3）
100nA（100pA）（2）
to50mA
100nA（100pA）（2）
to3A
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（1）
BVCEO/R/E/S
（10mA以上使用300us 脈沖）
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V（900V）（1）
to700V（1.4kV）（1）
to800V（1.6kV）（1）
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
 
 
 
1%+10mV
HFE
（1to99,999）
VCE: 0.10V
to5.00V（5）
     to9.99V
     to49.9V
IC: 10uA
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
to3A
IB:100nAto10A
0.01hFE
 
VCE:  1%+10mV
IC: 1%+100nA
IB: 1%+5nA
VCESAT, VBESAT
VBE（VBEON）
VCE:0.10Vto5.00V
to9.99V
VBE:0.10Vto9.99V
IE:10uA
to 49.9A（250A）（4）
to 25A （125A）（4）
IB:100nAto10A
5mV
 
 
V: 1%+10mV
IE:1%+100nA
IB:1%+5nA
 
 
 
 
三、穩(wěn)壓（齊納）二極管ZENER
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IR
0.10Vto999V（2kV）（1）
100nA（100pA）（2） 
to 50mA
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
BVZ,
VZ MIN,
VZ MAX 
ZZ
0.10Vto50V
to700V
to999V（kV）（1）
100nA（100pA）（2）
to3A
to100mA
to50mA
5mV
1%+10mV
VF
 
VF：0.10Vto5.00V
to9.99V
IF: 10uA 
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
5mV
V: 1%+10mV
IF: 1%+ 100nA
 
四、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管J-FET
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IGSS
IDOFF.IDGO
0.10Vto20V（80V）（3）
0.10Vto999V（2kV）（1）
100nA（100pA）（2）to3A
100nA（100pA）（2）    
to50mA
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
BVDGO
BVGSS
0.10V
to 999V（2kV） （1）
0.10Vto20V（80V） （3）
100nAto50 mA
100nAto3A
5mV
1%+100mV
1%+10mV
VDSON,VGSON
IDSS, IDSON
RDSON（混合參數(shù)）
GFS （混合參數(shù)）
0.10Vto5.00V
to9.99V
 
ID:10uA
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
IG: 100nAto10A 
5mV
V: 1%+10mV
ID: 1%+ 100nA
IG: 1%+ 5nA
VGSOFF
 
0.10Vto20V（80V）（3）
ID:100nA（100pA）（2）
to3A
VDS:0.10V to 50V
5mV
 
1%+10mV
 
 
五、MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS-FET

參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IDSSVIGSSFIGSSR
VGSFVGSR
0.10Vto999V（kV）（1）
0.10V
to20V（80V）（3）
100nA（100pA）（2）
to50mA
100nA（100pA）（2）
to3A
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
BVDSS
0.10Vto999V（2kV）（1）
100nAto50mA
5mV
1%+100mV
VGSTH  
0.10Vto49.9V
ID:100uAto3A
5mV
1%+ 10mV
VDSONVF（VSD）
IDONVGSON
GFS（混合參數(shù)）
RDSON（混合參數(shù)）
VDVF: 0.10V
to5.00V
to9.99V
VGS:0.10Vto9.99V
IF.ID:10uA
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
IG:100nAto10A
5mV
 
 
V:1%+10mV
IF.ID:1%+100nA
IG:1%+5nA

 
六、三端電源穩(wěn)壓器件REGULATOR

測(cè)試參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
Vo
Input / Output
Regulation
（混合參數(shù)）
VO:0.10Vto0V（50V）（3）
VIN:0.10Vto49.9V
負(fù)載：電阻或電流型
IO:1mA - 5A
1mV
1%+10 mV
IIN
VIN:0.10Vto20V（50V）（3）
負(fù)載：RGK 1kΩ、10kΩ     
外接，開(kāi)路，短路
IIN:1mA - 3A
10nA
1%+5nA

 
七、光電耦合器 OPTO-COUPLER
電參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
ICOFF、ICBO
IR
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nA（100pA）（2）
to50mA
100nAto3A
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
BVCEO, BVECO
 
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V（900V）（1）
to700V（1.4kV）（1）
to800V（1600kV）（1）
0.10Vto999V（2k0V）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100μAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50 mA
100nAto3A
5mV
1%+100mV
 
 
 
CTR
（0.01to99,999）
HFE
 （1to99,999）
VF （Opto-Diode）
VCESATVSAT
VCE: 0.10Vto5.00V（5）
         to9.99V
         to49.9V
VF:0.10Vto9.99V
IC:10uA
to49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
to3A
IFIB:100nAto10A
0.0001CTR
0.01HFE
 
5mV
V: 1%+10mV
IC: 1%+100nA
IF, IB: 1%+5nA
 
 
八、單向可控硅整流器SCR
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IDRMIRRM
IGKO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nA（100pA）（2） to50mA
100nA（100pA）（2）to3A
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
VDRMVRRM
BVGKO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nAto50mA
100nA to 3A
5mV
 
1%+100mV
1%+ 10mV
VTM
 
0.10Vto5.00V
       to 9.99V
10μAto49.9A（250A）（4）
    to25.0A（125A）（4）
5 mV
 
VT: 1%+10mV
IT: 1%+100nA
I GT
VGT
 
VD:5Vto49.9V
VGT:0.10Vto20V（80V）（3）
VT:100mVto49.9V
IGT:100nAto3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
5 mV
10nA
 
1%+10mV
1%+ 5nA
IL
VD:5Vto49.9V
 
 
IL:100μAto3A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT
nA
nA
 
IH
 
VD:5Vto49.9V
 
 
IH:10uAto1.5A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT
（IAK初值由 RL設(shè)置）
1uA
1%+2μA
 
九、絕緣柵晶體管IGBT
電參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
ICES   
IGESF
IGESR
0.10Vto999V（2000V）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nA（100pA）（2）to50mA
100nA（100pA）（2）to3A
1nA（50pA）（2）
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
BVCES
0.1Vto450V（900V） （1）
    to700V（1400V）（1）
    to800V（1600V）（1）
100μAto200mA
      to100mA       
      to50mA
5mV
1%＋100mV
VGETH
0.10Vto20.0V（80V）（3）
100nAto3A
5mV
1%+10mV
VCESAT
ICON
VGEON
VF
GFS（混合參數(shù)）
VCE: 0.10Vto5.00V
         to9.99V
VGEVF: 0.10Vto9.99V
IC:10μAto49.9A（250A）（4）
       to25A（125A）（4）
IGE IF: 100nAto10A
5mV
V: 1%+10mV
IC IF: 1%+100nA
IGE: 1%+5nA
十、 雙向可控硅TRIAC
參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
IDRMIRRM
IGKO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nA（100pA）（2）to50mA 100nA（100pA）（2）to 3A
1nA（50pA）（2）
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（2）
VDRMVRRM
BVGKO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
1%+100mV
1%+ 10mV
VTM
 
0.10Vto5.00V
     to9.99V
10μAto49.9A（400A）（4）
     to25.0A（200A）（4）
5 mV
 
VT: 1%+10mV
IT:1%+100nA
IGT
VGT
 
VD:5Vto49.9V
VGT:0.10Vto20V（80V）（3）
VT:100mVto49.9V
IGT:100nAto3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
5 mV
10nA
 
1%+10mV
1%+ 5nA
IL
VD:5Vto49.9V
 
 
IL:100μAto3A
IGT:100nAto3A
RL:12Ω\30Ω\100Ω\EXT
N/A
N/A
 
IH
 
VD:5Vto49.9V
 
 
IH:10uAto1.5A
IGT: 100nA to 3A
RL: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT
（IAK初值由 RL設(shè)置 ）
1uA
1%+2μA
十一、達(dá)林頓陣列DARLINTON
電參數(shù)名稱
電壓范圍
電流范圍
分辨率
精度
ICBO 
ICEO/R/S/X
IEBO
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（ 80V）（3）
100nA（100pA）（2）to50mA
100nA（100pA）（2）to3A
1nA（50pA）（2）
 
1%+10nA+20pA/V
（1%+200pA+2pA/V）（1）
BVCEO/R/E/S
（10mA以上使用300us 脈沖）
BVCBO
BVEBO
0.10Vto450V（900V）（1）
to700V（1.4kV）（1）
to800V（1.6kV）（1）
0.10Vto999V（2kV）（1）
0.10Vto20V（80V）（3）
100nAto200mA
to100mA
to50mA
100nAto50mA
100nAto3A
5mV
 
1%+100mV
 
 
 
1%+10mV
HFE
（1to99,999） 
 
VCE:0.10Vto5.00V（5）
         to9.99V
         to49.9V
IC:10uAto49.9A（250A）（4）
to25A（125A）（4）
to3A
IB: 100nAto10A
0.01hFE
 
VCE: 1%+10mV
IC: 1%+100nA
IB: 1%+5nA
VCESAT,VBESAT
VBE（VBEON）
 
VCE:0.10Vto5.00V
to9.99V
VBE:0.10Vto9.99V
IE:10uAto49.9A（250A）（4）
to25A （125A）（4）
IB: 100nAto10A
5mV
 
 
V: 1%+10mV
IE:1%+100nA
IB:1%+5nA
（1） 需要2KV陽(yáng)極/集電極選件。
（2） 需要小電流測(cè)試臺(tái)選件，可以提供需要的測(cè)試延遲時(shí)間為：1ms—99s。
（3） 需要80V低源柵/基極選件。
（4） 需要1.2KA大電流測(cè)試臺(tái)選件。
（5） 充許有電纜壓降。
（6） 表中部分器件測(cè)試需要定制專門(mén)的測(cè)試夾具。
熱門(mén)產(chǎn)品
產(chǎn)品名稱參考價(jià)地區(qū)公司名稱更新時(shí)間 
Gooch&Housego Q開(kāi)關(guān) 聲光調(diào)制 濾芯 激光器 調(diào)制器 晶體 光學(xué)部件 探測(cè)器 面議 上海市 希而科工業(yè)控制設(shè)備（上海）有限公司 2021-03-10 在線詢價(jià)
wkthhm瑞典 Permanova激光器件 面議 秦皇島市 秦皇島維克托國(guó)際貿(mào)易有限公司 2021-05-08 在線詢價(jià)
常用激光器封裝和附件 面議 深圳市 深圳市唯銳科技有限公司 2022-10-19 在線詢價(jià)
DFB1653同軸封裝激光器組件 面議 成都市 四川致遠(yuǎn)光科技有限責(zé)任公司 2022-07-06 在線詢價(jià)
1653nm同軸帶TEC尾纖DFB激光器組件 面議 成都市 四川致遠(yuǎn)光科技有限責(zé)任公司 2022-07-06 在線詢價(jià)
同軸封裝激光器組件 面議 成都市 四川致遠(yuǎn)光科技有限責(zé)任公司 2022-07-06 在線詢價(jià)
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