技術(shù)指標(biāo):
1、探測(cè)器:半導(dǎo)體探測(cè)器
2、能量響應(yīng):48Kev-3Mev
3、測(cè)量時(shí)間間隔:1-60S可設(shè)置。
4、靈敏度:1.1×10-2cps
5、測(cè)量范圍:0.1μGy/h—10Gy/h, 0-99999999cps,0-99mSv
6、測(cè)量單位:μGy/h,μSv/h, Sv可按鍵轉(zhuǎn)換
7、報(bào)警閾可設(shè)置:0.25μGy/h 2.5μGy/h 2.5μGy/h
8、環(huán)境溫度:-5--45℃;濕度:5--95%
9、外型尺寸與重量:探頭φ45mm×255mm,Φ10mm六芯約20米長(zhǎng)線纜
操作臺(tái)190mm×150mm×115mm,共約3.6Kg
10、供電電源:DC6V,或220V,50 Hz。
11、固定安裝:探測(cè)器固定安裝在位置,滿足牢固探測(cè)器即可
主機(jī)可單獨(dú)置于操作臺(tái),也可固定安裝于系統(tǒng)機(jī)柜