BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀

晶體管的極限參數

晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，輕則影響晶體管的工作性能，嚴重時將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數。
1.集電極zui大允許耗散功率Pcm
Pcm是指晶體管因溫度升高引起參數的變化不超過規(guī)定值時，集電極所消耗的zui大功率。 晶體管在正常工作時，集電結加的是反向偏置電壓，集電結的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結時就要產生大量的熱量，結溫就會升高，若溫度過高，將導致晶體管不可逆轉的損壞。人們根據晶體管zui高允許結溫定出zui大允許耗散功率。為了降低結溫，對于大功率晶體管，人們往往要另設散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當提高。
2.集電極zui大允許電流Icm
集電極電流增大，會導致晶體管的電流放大倍數β下降，當β降至低頻電流放大倍數βo的額定倍數（通常規(guī)定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極zui大允許電流Icm。因此，當晶體管的集電極電流達到Icm時，晶體管雖不致?lián)p壞，但電流放大倍數已大幅度下降。
3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指晶體管基極開路時，加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的zui大允許電壓。對于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負極；對于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負極，發(fā)射極接電源的正極。
當加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時，流過晶體管的電流會突然增大，導致晶體管*性損壞，這種現(xiàn)象稱為擊穿。

產品特點：

    BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀可以同時進行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊
穿的一次性檢測。兩種參數放在同一臺儀器上檢測是為了滿足軍用功率晶體管實際檢測的需
要，是軍用功率晶體管zui快速篩選測試（用幾十分鐘的參數測試取代168小時滿功率老化）
及貫徹國軍標所必需的測試儀器。這種參數測試儀不但解決了測試中的燒管問題，也可直接
進行正偏二次擊穿功率的檢測。本儀器的配套電源為本廠生產的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。

BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀技術指標：

 （1） 測試功率：0~750W
（2） 集電極—發(fā)射極電壓VCE：0~300V±2%
（3） 發(fā)射極電流IE：0~5A  ±2%
（4） M數字表：0~ —4.00mV / ℃    ±3%
（5） △VBE數字表：0~999 mV   ±3%
（6） 脈寬τ：1mS~1000S（分七檔）
           脈寬擴展：τ×1、τ×2、τ×5