ATX-XR系列LVDT位移傳感器專(zhuān)為測(cè)量溫和極低溫的位移測(cè)量而設(shè)計(jì)，ATX-XR系列LVDT傳感器可以從-200~600℃中運(yùn)行。
ATX-XR系列LVDT位移傳感器還具有較高耐輻射性，可以承受伽馬射線(xiàn)總積分量10¹¹ Rad或10⁹ Gy,可暴露于1x10¹⁹ NVT 總中子通量中。

ATX-XR系列超高溫耐輻照位移傳感器導(dǎo)線(xiàn)采用不銹鋼護(hù)套保護(hù)，這些電纜可以端接到密封的接頭上或連接器（如果需要）。
由于大多數(shù)無(wú)機(jī)絕緣材料都具有吸濕性，因此整個(gè)線(xiàn)圈組件均密封在不銹鋼內(nèi)，這樣可以防止水份積聚、絕緣泄漏，并保護(hù)線(xiàn)圈不受周?chē)泻橘|(zhì)的影響同時(shí)允許磁芯自由移動(dòng)。

某些應(yīng)用需要同時(shí)抵抗伽瑪射線(xiàn)，中子射線(xiàn)和高輻射的組合溫度。在考慮詳細(xì)的規(guī)格和對(duì)特定應(yīng)用的適用性之前，請(qǐng)先回顧和遵循以下工作定義和等效內(nèi)容。

總中子通量
總積分中子通量（也稱(chēng)為中子注量）是隨時(shí)間積分的中子通量。
中子通量：所有中子每單位時(shí)間和體積所移動(dòng)的總距離
中子通量的公式：中子數(shù)/體積x距離/時(shí)間=中子密度x速度
中子密度：每單位體積的中子數(shù)（n）

總中子通量的公式：
中子密度x速度x時(shí)間=中子密度x距離

總中子通量單位：
n/m ³ x m = n/m ² (n: 中子數(shù); m: 米)

NVT (n/cm ² )

單位換算: 1 NVT = 10 ⁴ n/m ²

伽瑪射線(xiàn)總累積劑量（TID）輻射
電離輻射的吸收劑量是每質(zhì)量單位沉積的能量。
單位：rad（輻射吸收劑量）：每千克物質(zhì)將沉積0.01焦耳能量的輻射
Gy（灰色）：每千克沉積1焦耳的能量的輻射（SI單位）
單位換算：1 Gy = 100 rad
所有輻射都會(huì)產(chǎn)生一定的損害，因此，問(wèn)題就變成了多少輻射以及哪種輻射可以在保證其操作規(guī)范的同時(shí)保持性能。因此這些參數(shù)僅是估計(jì)。當(dāng)輻射能量落在物體上時(shí)，來(lái)自不同來(lái)源的等量能量可能會(huì)導(dǎo)致取決于輻射形式（即伽馬射線(xiàn)，中子等）的破壞程度不同。

這些不同來(lái)源也可能導(dǎo)致不同類(lèi)型的損害。量化這些差異的一種方法是確定一個(gè)單元可以承受的輻射速率，而不會(huì)造成瞬時(shí)和不可接受的損壞。另一種方法是確定在“磨損”損壞之前可以吸收的總積分通量。必須牢記通量率和總積分通量之間的區(qū)別。
中子注量與伽馬射線(xiàn)之間沒(méi)有直接關(guān)系。如果我們假設(shè)能量相等，由于來(lái)自不同來(lái)源的耗散，單元吸收的能量將隨其吸收截面而變化。要是我們嘗試使損害平均化，由于損害的質(zhì)量差異，由各種形式輻射引起的不確定性更大。