隨著微電子機械加工系統(tǒng)技術(shù)的日趨成熟而為傳感器行業(yè)帶來一場新的革命，對于壓力、差壓、液位傳感器而言，其封裝的傳感器芯片本質(zhì)將決定最終產(chǎn)品的性能與等級。以目前國際市場上廣泛采用的硅芯片技術(shù)而言，硅壓阻技術(shù)加工工藝成熟，但其信噪比特性與溫度特性有待提高；硅諧振技術(shù)加工工藝復雜過壓特性不好；本公司3351J系列單晶硅差壓變送器芯片采用超高純度單晶硅材質(zhì)，其材質(zhì)特性優(yōu)于市場上通用的復合硅、擴散硅材料，芯片采用德國的單晶硅雙梁懸浮式技術(shù)，結(jié)合了硅壓阻與硅諧振技術(shù)雙方特點，并從設計與工藝上做出了創(chuàng)新性優(yōu)化，實現(xiàn)高精度、高穩(wěn)定性、低溫度影響、超高過壓等優(yōu)異性能，適用于工業(yè)過程控制、自動化制造、航天航空、汽車與船舶、醫(yī)療衛(wèi)生等多個領域。
一、單晶硅差壓變送器性能特點：
1、高純度單晶硅材質(zhì)，有效提高產(chǎn)品壽命及長期穩(wěn)定性
2、雙惠斯通電橋設計，“雙梁”電阻溫度特性互補，提高芯片抗干擾能力
3、LCD帶背光顯示數(shù)字表頭可以顯示壓力、百分比和電流及0~99%模擬指示
4、通過按鍵組合操作能實現(xiàn)調(diào)零和調(diào)滿功能，以及數(shù)據(jù)恢復功能，方便了現(xiàn)場調(diào)試
5、信號轉(zhuǎn)換、信號采集與處理及電流輸出控制采用了一體化專用集成電路（ASICS）使智能變送器具有高穩(wěn)定、高可靠、高抗震等特點，并具有良好的互換性
二、單晶硅差壓變送器技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號：SK3351JDP-單晶硅差壓變送器SK3351JDR-單晶硅微差壓變送器
測量原理：單晶硅懸浮式
適用場合：水壓、油壓、氣壓、負壓
測量范圍：-400~400kPa量程可選
測量精度：±0.1%；±0.075%
電源：DC10.5~45V
輸出：DC4~20mA+HART
三、單晶硅差壓變送器產(chǎn)品選型：
| 3351JDR | 微差壓變送器 | ||||||||||
3351JDP | 差壓變送器 | ||||||||||
量程范圍 | 代碼 | 量程單位 | |||||||||
KPa | InH2O | mBar | mmH2O | ||||||||
（根據(jù)以下表格中選取代碼） | |||||||||||
輸出信號 | S | 4~20Ma+HART協(xié)議 | |||||||||
T | 特殊要求 | ||||||||||
精度等級 | I75 | 0.075%± | |||||||||
I1 | 0.1%± | ||||||||||
I2 | 0.25%± | ||||||||||
顯示方式 | M3 | 液晶顯示 | |||||||||
連接型式及尺寸 | C2 | 丁字形螺紋接頭M20×1.5，帶Ф14焊接引壓管（GP型） | |||||||||
SF | 配三閥組 | ||||||||||
Y | 用戶約定 | ||||||||||
安裝支架型式（GP型） | B1 | 管裝彎支架 | |||||||||
B2 | 板裝彎支架 | ||||||||||
B3 | 管裝平支架 | ||||||||||
隔爆等級 | B | ExdiiCT6 | |||||||||
四、工作壓力：
| 型? 號 | 膜盒 | 工作壓力 |
DR微差壓變送器 | DR1（1KPa） | 1.5MPa |
DR2（6KPa） | 2MPa | |
DP中靜壓差壓變送器 | M1~M6 | 25MPa |
DX大量程差壓變送器 | L1（2MPa） | 25MPa |
L2（4MPa） | 20MPa | |
L3（10MPa） | 20MPa | |
HP高靜壓差壓變送器 | HP1~HP6 | 40MPa |
DPS低靜壓差壓變送器 | S1（10KPa） | 2MPa |
S2（20KPa） | 3.5MPa | |
S3（40KPa） | 3.5MPa | |
S4（100KPa） | 7MPa | |
S5（200KPa） | 7MPa | |
S6（500KPa） | 7MPa |
