在開發(fā)和使用MOSFET、IGBT、二極管及其他大功率器件,需要進行器件級的靜態(tài)參數(shù)測量,如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量,并不斷優(yōu)化開關狀態(tài)下的電氣性能。就要使用到IV參數(shù)曲線測試儀2600-PCT-2B,
IV參數(shù)曲線測試儀2600-PCT-2B優(yōu)勢:
完整的解決方案,
? 可現(xiàn)場升級和重新配置,將PCT轉換成可靠性或晶片分類測試儀
? 可配置功率電平:200V至3kV、1A至100A
? 寬動態(tài)范圍:µV至3kV、fA至100A
? 全量程容-電壓 (C-V) 能力:fF至µF
? 支持 2、3和4端器件、高達3kV DC偏移
? 高性能測試夾具支持一系列軟件包類型
? 探頭測試臺接口支持多種常見的探頭類型
特點:
完善的解決方案,價格實惠且性能優(yōu)異
可現(xiàn)場升級和重新配置,將 PCT 轉換成可靠性或晶片分類測試儀
可配置功率電平:
200V 至 3kV
1A 至 100A
寬動態(tài)范圍:
µV 至 3kV
fA 至 100A
全量程容-電壓 (C-V) 能力:
fF 至 µF
支持 2、3 和 4 端器件
高達 3kV DC 偏移
高性能測試夾具支持一系列軟件包類型
探頭測試臺接口支持最常見的探頭類型,包括 HV 同軸三線電纜、SHV 同軸電纜、標準同軸三線電纜等