容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數(shù)較小，而下面的介質介電常數(shù)較大時，高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數(shù)比下層介質介電常數(shù)小10以上。
產品特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得ULS3X系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質等。
采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環(huán)境均無傷害。
技術參數(shù)
特 征： 不銹鋼316L/陶瓷材料天線，能耐受更高的溫度和壓力。
應 用： 液體測量，高溫高壓工況，復雜過程條件。
zui大量程： 纜：30m/棒：6m
測量精度： ±10mm
過程連接： G1½A/G2A/1½NPT
探測組件材料： 不銹鋼316L/陶瓷
鋼纜直徑： Φ4mm、Φ6mm/Φ10mm
過程溫度： -200…400°C
過程壓力： 真空…400bar
信號輸出： 兩線制 4…20mA/HART
選型標準
ULS35
許可證
P 標準型（非防爆）
I 本安型（Exia IIC T6）
C 本安型+船用許可證（Exia IIC T6）
G 本安型+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）
探測組件型式/材料
A 纜式/不銹鋼316L/陶瓷
B 棒式/不銹鋼316L/陶瓷
過程連接
GP 螺紋 G1½A
KP 螺紋 G2A
NP 螺紋 1½NPT
YP 特殊制定
電子組件
B (4～20)mA/HART兩線制
C (4～20)mA/(22.8～26.4)V DC /HART兩線/四線制
D (198～242)V AC/HART四線制
外殼/防護等級（注）
A 鋁/IP67
B 塑料/IP66
D 鋁兩腔/IP67
G 不銹鋼316L/IP67
過程溫度/壓力
A （-200～400）℃/（真空～4）MPa
B （-200～400）℃/（真空～40）MPa
電纜進線
M M20x1.5
N ½NPT
現(xiàn)場顯示/編程器
A 帶
X 不帶
纜（棒）長
5位數(shù)字（單位:mm）
注: 本安型（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“A”型外殼；本安+船用許可證（Exia IIC T6）只限用“B”電子組件及“G”型外殼；本安+隔爆型（Exd [ia]ia IIC T6）只限用“C”“D”電子組件及“D”型外殼；標配法蘭大小參照GB/T9119-2000 PN1.6MPa尺寸，厚度為15。
