蔡司Sigma

擁有高品質(zhì)成像和顯微分析功能的FE-SEM

蔡司Sigma系列產(chǎn)品集場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）技術(shù)與良好的用戶(hù)體驗(yàn)于一體，助您輕松實(shí)現(xiàn)構(gòu)建成像和分析程序，同時(shí)提高工作效率。您可以將其用于新材料和顆粒的質(zhì)量監(jiān)測(cè)，或研究生物和地質(zhì)樣本。Sigma可實(shí)現(xiàn)高分辨率成像，它采用低電壓，能在1 kV或更低電壓下實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。它出色的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可執(zhí)行高級(jí)顯微分析，以?xún)杀兜乃俣群透叩木全@取分析數(shù)據(jù)。

使用Sigma系列，暢游納米分析世界。

• Sigma 360是一款直觀的成像和分析FE-SEM，是分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選。

• Sigma 560采用的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)，可提供高通量分析，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)原位實(shí)驗(yàn)。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

Sigma 360

分析測(cè)試平臺(tái)的理想之選，直觀的圖像采集

• 從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，均提供專(zhuān)業(yè)向?qū)В瑸槟ｑ{護(hù)航，助您探索直觀成像工作流。

• 可在1 kV和更低電壓下分辨差異，實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和對(duì)比度。

• 可在條件下執(zhí)行可變壓力成像，獲得出色的非導(dǎo)體成像結(jié)果。

可在條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

• 新NanoVP lite模式和新探測(cè)器很容易在電壓低于5 kV時(shí)，從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

• 這樣，就可增強(qiáng)成像和X射線(xiàn)能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時(shí)間，增強(qiáng)入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。

• aBSD1（環(huán)形背散射電子探測(cè)器）或新一代C2D（級(jí)聯(lián)電流）探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

將多模式實(shí)驗(yàn)與Connect Toolkit相結(jié)合，或使用Materials應(yīng)用程序分析顯微結(jié)構(gòu)、晶粒尺寸或涂層厚度

直觀成像工作流為您指引方向

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了

• 即使您是新手用戶(hù)，也能輕松獲得專(zhuān)業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間，簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟，讓您如虎添翼。

• 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。

• 接下來(lái)，ZEN core便可大顯身手：它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。 

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異

增強(qiáng)的分辨率。優(yōu)化的襯度

• 光學(xué)鏡筒是成像和分析性能的關(guān)鍵。Sigma配用蔡司Gemini 1電子光學(xué)鏡筒，可對(duì)任何樣品提供出色的成像分辨率，尤其是在低電壓條件下。

• Sigma 360的低電壓分辨率目前500 V時(shí)為1.9 nm。通過(guò)大幅度降低色差，1 kV時(shí)的分辨率已提升10%以上，可達(dá)1.3 nm。

• 現(xiàn)在成像比以往任何時(shí)候都輕松，無(wú)論是要求苛刻的樣品，還是在可變壓力（VP）模式下采用背散射探測(cè)。

對(duì)聚苯乙烯樣品進(jìn)行斷裂，以了解聚合物界面處的裂紋形成和附著力。Sigma 360，C2D，3 kV，NanoVP lite模式，樣品室壓力60Pa。

可在條件下完成可變壓力成像

用于分析和成像的NanoVP lite模式

• 新NanoVP lite模式和新探測(cè)器很容易在電壓低于5 kV時(shí)，從非導(dǎo)體中輕松獲取高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

• 這樣，就可增強(qiáng)成像和X射線(xiàn)能譜分析的性能，提供更多表面敏感信息，縮短采集時(shí)間，增強(qiáng)入射電子束流，提高能譜面分布分析速度。

• aBSD1（環(huán)形背散射電子探測(cè)器）或新一代C2D（級(jí)聯(lián)電流）探測(cè)器可確保在低電壓條件下采集到出色圖像。

直觀成像工作流為您指引方向

從設(shè)置到獲取基于人工智能的結(jié)果，每一步都清晰明了

• 即使您是新手用戶(hù)，也能輕松獲得專(zhuān)業(yè)結(jié)果。Sigma系列獲取圖像迅速，易于學(xué)習(xí)和使用的工作流可節(jié)省培訓(xùn)時(shí)間，簡(jiǎn)化從導(dǎo)航到后期處理的每個(gè)步驟，讓您如虎添翼。

• 蔡司SmartSEM Touch中的軟件自動(dòng)化可助您完成導(dǎo)航、參數(shù)設(shè)置和圖像采集等步驟。

• 接下來(lái)，ZEN core便可大顯身手：它配備針對(duì)具體任務(wù)的工具包，適用于后期處理。我們十分推薦人工智能工具包，它可助您基于機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行圖像分割。 

Sigma 560

高通量分析，原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化

• 對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析：基于SEM的高速和通用分析。

• 實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化：無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室。

• 可在低于1 kV的條件下完成要求苛刻的樣品成像：采集完整的樣品信息。

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異 

• 在1 kV或甚至在500 V時(shí)實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時(shí)為1.5 nm。
  在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測(cè)器

• 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。

• 正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀（強(qiáng)烈推薦）和可通過(guò)6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。

對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析

EDS：通用、高速，助您深入研究

• Sigma 560的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實(shí)現(xiàn)高通量無(wú)陰影元素面分布。

• 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。

• 不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析，并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的對(duì)比度。

• 全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

• 鋼原位加熱和拉伸實(shí)驗(yàn)。同步執(zhí)行SEM成像和EBSD分析，以深入研究應(yīng)力應(yīng)變曲線(xiàn)。

實(shí)現(xiàn)原位實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化

無(wú)人值守測(cè)試的全集成實(shí)驗(yàn)室

• Sigma原位實(shí)驗(yàn)室是一種全集成式解決方案，它可以不依賴(lài)操作人員，通過(guò)無(wú)人值守的自動(dòng)化工作流進(jìn)行加熱和拉伸測(cè)試。

• 通過(guò)對(duì)納米級(jí)別的特征進(jìn)行3D分析進(jìn)一步擴(kuò)展您的工作流：執(zhí)行3D STEM斷層成像或基于人工智能的圖像分割。

• 新aBSD4可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)3D表面建模（3DSM）。

對(duì)要求苛刻的樣品能夠輕松成像

可在1 kV和更低電壓條件下分辨差異 

• 在1 kV或甚至在500 V時(shí)實(shí)現(xiàn)信息量豐富的成像和分析：Sigma 560的低千伏分辨率500 V時(shí)為1.5 nm。
  在新的NanoVP lite模式下，使用新型aBSD或C2D探測(cè)器

• 在可變壓力下輕松拍攝要求苛刻的樣品，加速電壓可低至3 kV。

• 正在研究電子設(shè)備的您肯定希望保持清潔的工作環(huán)境。使用等離子清洗儀（強(qiáng)烈推薦）和可通過(guò)6英寸晶圓的新型大尺寸樣品交換艙，防止您的樣品室受到污染。

對(duì)實(shí)體樣品進(jìn)行高效分析

EDS：通用、高速，助您深入研究 

• Sigma 560的EDS幾何學(xué)設(shè)計(jì)可提高分析效率。兩個(gè)180°徑向相對(duì)的EDS端口確保了即使在低電壓小束流條件下，也能實(shí)現(xiàn)高通量無(wú)陰影元素面分布。

• 樣品室的附加EBSD和WDS端口可進(jìn)行除EDS外的分析。

• 不導(dǎo)電樣品也可以使用全新的NanoVP lite模式進(jìn)行分析，并能獲得更強(qiáng)的信號(hào)和更高的對(duì)比度。

• 全新的aBSD4探測(cè)器可輕松實(shí)現(xiàn)表面形貌復(fù)雜樣品的圖像采集。

技術(shù)

Gemini電子光學(xué)鏡筒橫截面示意圖，包含電子束推進(jìn)器、Inlens探測(cè)器和Gemini物鏡。

Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)

• Gemini 1電子光學(xué)系統(tǒng)由三個(gè)元件組成：物鏡、電子束推進(jìn)器和Inlens探測(cè)器。其中，物鏡的設(shè)計(jì)將靜電場(chǎng)與磁場(chǎng)相結(jié)合，大大優(yōu)化光學(xué)性能的同時(shí)，降低了樣品受到的磁場(chǎng)影響。 

• 如此也可實(shí)現(xiàn)對(duì)磁性材料等具有挑戰(zhàn)性的樣品的高品質(zhì)成像。Inlens探測(cè)原理通過(guò)對(duì)二次電子（SE）和/或背散射電子（BSE）的探測(cè)來(lái)確保高效的信號(hào)檢測(cè)，同時(shí)大幅縮短獲取圖像的時(shí)間。 

• 電子束推進(jìn)器保證了小尺寸的電子束斑和高信噪比。

Gemini 1光學(xué)鏡筒與探測(cè)器橫截面示意圖

以靈活的探測(cè)獲取清晰圖像

• Sigma配備了一系列不同的探測(cè)器，通過(guò)新探測(cè)技術(shù)對(duì)您的樣品進(jìn)行表征。 

• 使用ETSE和Inlens探測(cè)器的高真空模式可獲取表面形貌的高分辨率信息。

• 使用VPSE或C2D探測(cè)器的可變壓力模式可獲得清晰圖像。 

• 使用aSTEM探測(cè)器可進(jìn)行高分辨率透射電子成像。

• 采用不同的可選BSE探測(cè)器，如aBSD探測(cè)器，可以深入研究樣品的成分和表面形貌。

標(biāo)準(zhǔn)VP（左）和NanoVP lite（右）模式，氣體分布（粉紅色），電子束裙邊（綠色）。

NanoVP lite模式

采用NanoVP lite模式進(jìn)行分析和成像，在低電壓條件下可獲得更高的圖像質(zhì)量，更快速地獲取更準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)。

• 在NanoVP lite模式下，裙邊效應(yīng)降低且電子束的氣體路徑長(zhǎng)度（BGPL）減小。裙邊減小會(huì)提高SE和BSE成像的信噪比。

• 帶有五象限的可伸縮式的環(huán)形aBSD可提供出色的材料成分襯度：在NanoVP lite工作過(guò)程中，該探測(cè)器配備了安裝在極靴下方的束流套管，其可提供低電壓下的高通量高襯度成分和表面形貌成像，適用于可變壓力和高真空條件。

  可選附件

  電鏡可選附件用于增強(qiáng)和拓展電子顯微鏡功能，具體產(chǎn)品涵蓋了從樣品制備到成像、分析等所有步驟的需求。應(yīng)用范圍包括材料科學(xué)、生命科學(xué)、地球物理學(xué)、電子學(xué)，能源科學(xué)等領(lǐng)域。

  產(chǎn)品類(lèi)別	產(chǎn)品名稱(chēng)	產(chǎn)品簡(jiǎn)介
  分析設(shè)備	能譜儀	檢測(cè)特征X射線(xiàn)能量，稱(chēng)為能量色散譜儀（Energy Dispersive Spectroscopy），簡(jiǎn)稱(chēng)能譜儀（EDS）。主要是對(duì)材料微區(qū)化學(xué)成分進(jìn)行定性及定量分析，可以用于金屬、高分子、陶瓷、混凝土、生物、礦物、纖維等無(wú)機(jī)或有機(jī)固體材料分析等。例如：在掃描電鏡下可以結(jié)合夾雜物形態(tài)及成分進(jìn)行分析；固體材料的表面涂層、鍍層進(jìn)行分析；結(jié)合EBSD對(duì)未知材料進(jìn)行相鑒定等。
  	波譜儀	利用晶體衍射分光檢測(cè)感興趣的特征X射線(xiàn)波長(zhǎng)，稱(chēng)為波長(zhǎng)色散譜儀(Wavelength Dispersive Spectroscopy)，簡(jiǎn)稱(chēng)波譜儀（WDS）。與能譜儀相比，波譜儀的能量分辨率更高，可以將能量非常接近的譜線(xiàn)區(qū)分開(kāi)，同時(shí)具有更低的元素檢測(cè)限，可檢測(cè)元素含量至0.1‰。
  	背散射電子衍射探測(cè)器	電子背散射衍射（Electron Backscatter Diffraction，簡(jiǎn)稱(chēng)EBSD）技術(shù)，是基于掃描電鏡中電子束在傾斜樣品表面激發(fā)形成的衍射菊池帶的分析，從而確定晶體結(jié)構(gòu)、取向、晶界類(lèi)型、微織構(gòu)組成及應(yīng)變分布等相關(guān)信息，是快速而準(zhǔn)確的獲得晶體取向信息的強(qiáng)有力的分析工具。EBSD技術(shù)可用于各種晶體材料——金屬、陶瓷、半導(dǎo)體、地質(zhì)、礦石的分析，結(jié)合形貌、能譜信息，可以解決其在形變、再結(jié)晶、相變、斷裂、腐蝕過(guò)程的問(wèn)題。
  	加熱臺(tái)	掃描電鏡高溫加熱臺(tái)可以動(dòng)態(tài)地觀察溫度變化時(shí)材料微觀組織、結(jié)構(gòu)的變化及失效分析，通入氣體可進(jìn)行高溫氣體反應(yīng)的觀察，結(jié)合EBSD可進(jìn)行不同溫度下原位EBSD實(shí)驗(yàn)，用于觀察晶體材料的相變過(guò)程、再結(jié)晶形核及長(zhǎng)大過(guò)程、晶界處的變化等。Gatan系列的加熱臺(tái)具有溫度精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、樣品座方便拆卸等優(yōu)點(diǎn)。被廣泛應(yīng)用于液晶檢測(cè)、半導(dǎo)體、高分子材料、流體包裹體、生物工程等眾多領(lǐng)域，在冶金材料領(lǐng)域，結(jié)合EBSD進(jìn)行再結(jié)晶及相變過(guò)程的觀察等。
  	冷凍臺(tái)	低溫氮?dú)庵评錁悠放_(tái)模塊，可安裝在現(xiàn)有的SEM 樣品臺(tái)上。廣泛應(yīng)用于：電子束敏感材料-如高分子、地質(zhì)樣品、低溫冷卻后可做微量分析；半導(dǎo)體材料及超導(dǎo)材料-研究低溫相及性能；陰極發(fā)光及EBIC應(yīng)用。