FEI Quattro ESEM 掃描電子顯微鏡

Quattro E型掃描電鏡現(xiàn)在為現(xiàn)代材料科學(xué)研究提供了更大的靈活性，滿足了對(duì)結(jié)構(gòu)特性，元素分布以及材料在自然狀態(tài)下的動(dòng)態(tài)變化的更大可見性的需求。用于檢測(cè)，自動(dòng)化和樣品加熱的新配件使研究人員能夠從更多樣品和更多條件中獲得更多數(shù)據(jù)。

Thermo Scientific™Quattro環(huán)境掃描電子顯微鏡（ESEM）是一款多功能，高性能儀器，配有場(chǎng)發(fā)射槍（FEG），具有特色的分辨率和射束電流穩(wěn)定性。

三種真空模式（高真空，低真空和ESEM）可靈活地適應(yīng)任何可用SEM的廣泛樣品，包括除氣或不與真空兼容的樣品。Quattro供多種探測(cè)器，包括定向反向散射信息，STEM和發(fā)光，可調(diào)諧和真實(shí)色彩對(duì)比。所有Quattro ESEM系統(tǒng)都可以配備分析功能，例如能量色散x射線光譜（EDS），波長色散x射線光譜（WDS）和與EDS共面的電子背散射衍射（EBSD）。

Quattro的架構(gòu)由輔助功能（用戶南）提供支持，該功能不僅可以指示，還可以直接與顯微鏡進(jìn)行交互。Quattro支持撤消/重做功能，掃描預(yù)設(shè)，列預(yù)設(shè)，簡易的基于攝像頭的導(dǎo)航，SmartSCAN™和漂移補(bǔ)償幀集成（DCFI），以提高生產(chǎn)力，數(shù)據(jù)質(zhì)量和易用性。

多功能分辨率SEM，具有的環(huán)保能力

Thermo Scientific™Quattro ESEM將成像和分析方位性能與的環(huán)境模式（ESEM™）相結(jié)合，可以在自然狀態(tài)下研究樣品。它是各種學(xué)術(shù)，工業(yè)和政府實(shí)驗(yàn)室的理想選擇，這些實(shí)驗(yàn)室希望在支持原位實(shí)驗(yàn)的平臺(tái)上為不同經(jīng)驗(yàn)水平和學(xué)科的多個(gè)用戶提供所需的多功能性和易用性。Quattro的場(chǎng)發(fā)射槍（FEG）可確保特色的分辨率，同時(shí)其三種真空模式（高真空，低真空和ESEM）可靈活地適勻魏蜸EM樣品的廣泛樣品，包括放氣或不真空的樣品-兼容。

高性能的多功能性

Quattro ESEM是分析平臺(tái)，因?yàn)樗那皇铱梢耘鋫湟幌盗信浼７治瞿芰Π芰可射線光譜（EDS），具有180度雙EDS附著的端口，與EDS共面的電子背散射衍射（EBSD）和波長色散X射線光譜（WDS）。

Quattro ESEM支持可選的高真空加熱階段，AutoScript，基于Python的腳本工具和新的RGB發(fā)光（CL）探測(cè)器。RGB CL檢測(cè)器產(chǎn)生彩色圖像，突出顯示使用傳統(tǒng)電子或X射線成像技術(shù)不可見的樣品特性。高真空加熱階段可在高溫下進(jìn)行清潔的樣品觀察。使用AutoScript，用戶可以對(duì)成像和舞臺(tái)移動(dòng)進(jìn)行編程，以實(shí)現(xiàn)無人值守的數(shù)據(jù)采集。

動(dòng)態(tài)原位實(shí)驗(yàn)

Quattro的多功能性使其非常適合材料科學(xué)的廣泛主題<它同樣擅長于執(zhí)行傳統(tǒng)的高分辨率SEM成像/分析和動(dòng)態(tài)原位實(shí)驗(yàn)。它允許研究人員研究自然狀態(tài)下廣泛的樣品，以獲得有關(guān)結(jié)構(gòu)和組成的準(zhǔn)確信息。

的環(huán)境模式

Quattro的環(huán)境SEM（ESEM）功能使科學(xué)家能夠在各種條件下研究材料，例如濕/濕，熱或反應(yīng)環(huán)境，因?yàn)樗麄優(yōu)闊o數(shù)學(xué)科開發(fā)新材料和產(chǎn)品，包括建筑，汽車，包裝，涂料和能源。Quattro研究化學(xué)反應(yīng)進(jìn)程的能力，如氧化，腐蝕，蝕刻，晶體生長和催化，可對(duì)科學(xué)和環(huán)境產(chǎn)生重大影響。

典型應(yīng)用包括：

1、納米表征：

– 金屬和合金，裂縫，焊縫，拋光部分，磁性和超導(dǎo)材料

-陶瓷，復(fù)合材料，塑料

-薄膜，涂層

-地質(zhì)剖面，礦物

-軟材料：聚合物，藥品，過濾器，凝膠，組織，植物材料

-顆粒，多孔材料，纖維

2、原位表征：

-結(jié)晶/相變

-氧化，催化

-物質(zhì)增長

-水合/脫水/潤濕/接觸角分析

-拉伸（加熱或冷卻）

技術(shù)參數(shù)

1、電子光學(xué)：

1）發(fā)射源：高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。

2）加速電壓：200V – 30kV。

3）放大倍數(shù)：6× – 2,500,000×。

4）電鏡內(nèi)設(shè)計(jì)有壓差真空系統(tǒng)，保護(hù)低真空/環(huán)境真空下電子槍，延長壽命。

5）大的電子束束流：1pA -200nA連續(xù)可調(diào)，保證能譜工作。

2、真空系統(tǒng)：

1）1個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵+2個(gè)離子泵

2）集成的離子泵備用電池（用于意外斷電保護(hù)）

3）高真空模式：＜6×10-4 Pa （測(cè)試導(dǎo)電樣品或噴金處理樣品）

4）低真空模式：10 – 200 Pa （直接測(cè)試不導(dǎo)電樣品）

5）環(huán)境真空模式：10 – 4000 Pa （測(cè)試含水分樣品）

6）高真空模式下的換樣時(shí)間：≤3.5min

7） 環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤4.5min

3、電子束分辨率：

A：高真空模式下成像

1）高真空分辨率30 kV下1.0 nm (SE二次電子)

2）高真空分辨率30 kV下2.5 nm (BSE背散射電子)

3）高真空分辨率1 kV下3.0 nm (SE二次電子)

B：低真空模式下成像

4）低真空分辨率30 kV下1.3 nm (SE二次電子)

5）低真空分辨率30 kV下2.5 nm (BSE背散射電子)

6）低真空分辨率3 kV下3.0 nm (BSE背散射電子)

C：環(huán)境模式下成像

7）環(huán)境真空分辨率30 kV下1.3 nm (SE二次電子)

4、樣品室：

1）樣品室內(nèi)寬：340mm

2）分析工作距離：10 mm

3）樣品室紅外CCD相機(jī)：1個(gè)

4）可升級(jí)12個(gè)探測(cè)器或附件接口

5、樣品臺(tái)：

1）樣品臺(tái)類型：五軸全自動(dòng)U中.心對(duì)中樣品臺(tái)，同時(shí)保留五軸手動(dòng)功能

2）行程：X：110 mm，Y：110 mm ，Z：65 mm，

3）旋轉(zhuǎn)R=n×360°，傾斜T=-15°/+90°

4）多功能樣品臺(tái)，存放標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) (?12 mm)平面18個(gè)，斜面3個(gè)，同時(shí)提供2個(gè)斷面夾具

5）樣品高度≥85mm