全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760分析可以測量所有晶圓廠工藝中的污染，包括清潔、光刻、蝕刻、灰化、薄膜等。全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 可以使用單目標 3 光束 X 射線系統和無液氮探測器系統測量從鈉到 U 的元素。
全反射 X 射線熒光光譜儀TXRF 3760 包括理學獲得的 XYθ 樣品臺系統、真空晶圓機器人傳輸系統和新的用戶友好型窗口軟件。所有這些都有助于提高吞吐量、更高的準確度和精度，以及簡化的日常操作。
可選的掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識別可以更高精度自動重新測量的“熱點”。可選的 ZEE-TXRF 功能克服了原始 TXRF 設計歷 15 mm 邊緣排除的問題，使測量能夠以零邊緣排除進行。
特征
易于操作，分析結果快速
接受 200 mm 及更小的晶圓
緊湊的設計，占地面積
大功率旋轉陽極源
多種分析元素（Na~U）
輕元素靈敏度（針對鈉、鎂和鋁）
應用于裸硅和非硅基板
從缺陷檢測工具導入測量坐標以進行后續(xù)分析
規(guī)格
| 產品名稱 | TXRF 3760 |
| 技術 | 全反射 X 射線熒光 （TXRF） |
| 效益 | 從Na到U的快速元素分析，以測量所有晶圓廠工藝中的晶圓污染 |
| 科技 | 帶無液氮探測器的 3 光束 TXRF 系統 |
| 核心屬性 | 高達 200 mm 的晶圓、XYθ 樣品臺系統、真空晶圓機器人傳輸系統、ECS/GEM 通信軟件 |
| 核心選項 | 掃描TXRF軟件可以繪制晶圓表面上的污染物分布圖，以識別“熱點”。ZEE-TXRF 功能可實現零邊緣排除的測量 |
| 計算機 | 內置電腦，微軟視窗操作系統® |
| 核心尺寸 | 1000 （寬） x 1760 （高） x 948 （深） 毫米 |
| 質量 | 100 千克（核心單元） |
| 電源要求 | 3?， 200 VAC 50/60 Hz， 100 A |
