碲化鋅,硒化鎵太赫茲晶體，應用于太赫茲光源與探測器

EKSMA Optics從1983年開始為各個科學實驗室開發(fā)機械元件，根據(jù)客戶給的圖紙和制造規(guī)格，可提供定制光學和晶體組件服務，也有標準品庫存快速現(xiàn)貨交付。EKSMA Optics主要產品為激光器、激光系統(tǒng)和儀器的精密激光組件，為工業(yè)、醫(yī)療、美學、科學和國防市場的不同激光和光子應用領域的客戶提供服務。

GaSe,ZnTe太赫茲晶體主要應用領域：

       - 太赫茲時域系統(tǒng)

- 太赫茲源晶體

- 中遠紅外氣體探測

- CO2激光的SHG

- THZ實驗光源

- 太赫茲成像

- 太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)

EKSMA Optics目前有售用于產生太赫茲頻段輻射的GaSe,ZnTe太赫茲晶體（硒化鎵THz晶體，碲化鋅THz晶體）。ZnTe和GaSe晶體 Eksma具有高損傷閾值，太赫茲ZnTe晶體和GaSe晶體可產生極短且高質量的太赫茲脈沖。

110晶向的太赫茲晶體ZnTe通過光學整流過程產生太赫茲。光學整流效應是一種二階非線性效應。脈沖激光照射到非線性介質晶體，脈沖激光的各個單色分量之間會在樣品中通過差頻振蕩現(xiàn)象產生一個隨時間變化的電極化場，該電極化場將產生太赫茲。

還可利用110晶向的太赫茲晶體ZnTe基于自由空間電光技術實現(xiàn)對太赫茲脈沖的探測。在自由空間光電采樣系統(tǒng)里太赫茲光束和線偏振光束在ZnTe太赫茲源內共線傳播。太赫茲光束產生的電場會影響ZnTe太赫茲源晶體的復折射率，最終改變線偏振光，自由光電采樣系統(tǒng)能檢測和放大這種改變并轉為更直觀的強度變化來繪制太赫茲脈沖幅度。

讀出完整電場（包括幅度和時延）的能力是太赫茲時域光譜的一大特色。太赫茲ZnTe晶體Eksma還能用于紅外光學元件基板和真空沉積。ZnTe太赫茲晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號：ZnTe-100H，ZnTe-200H，ZnTe-500H，ZnTe-1000H，ZnTe-2000H，ZnTe-3000H。

注： ZnTe太赫茲晶體含有微氣泡，它們在照明晶體的投影中可見。然而，這并不影響太赫茲的產生。我們不接受有關水晶中存在氣泡的投訴。

使用GaSe晶體Eksma產生的太赫茲能達到41THz的大帶寬。GaSe太赫茲源是負單軸層狀半導體，擁有62m空間點群的六邊形結構，300K時的帶隙為2.2eV。GaSe太赫茲晶體有著高激光損傷閾值（可達3.7 J/cm2），很大的非線性光學系數(shù)（54pm/V），比較合適的透明范圍(0.65-18μm)，和足夠低的吸收系數(shù)（α＜0.01cm-1），使其成為寬帶中紅外電磁波產生的重要解決方案。由于使用20fs的飛秒激光源產生和檢測寬帶太赫茲，GaSe太赫茲源制作的太赫茲發(fā)射器-檢測器系統(tǒng)性能被認為可以達到與使用太赫茲ZnTe晶體相當甚至更好的結果。使用合適厚度的太赫茲GaSe晶體可以實現(xiàn)對太赫茲波產生和探測系統(tǒng)的頻率選擇。太赫茲GaSe晶體根據(jù)制作厚度的不同分為以下型號：GaSe-10H1,GaSe-30H1,GaSe-100H1,GaSe-500H1,GaSe-1000H1,GaSe-2000H1。

注：由于GaSe太赫茲晶體的解理面為(001)，對該晶體使用有一個很大限制在于質軟，易碎。

太赫茲晶體ZnTe,GaSe性能優(yōu)勢：

- 產生太赫茲能達到有非常寬的頻域

- 抗損傷閾值高

- 非線性系數(shù)大

- 多種尺寸可選

- 客戶導向的解決方案

- 接受客戶定制服務

ZnTe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：

GaSe晶體 Eksma規(guī)格參數(shù)：