專門為電子束敏感樣品和需**300萬(wàn)倍穩(wěn)定觀察的*半導(dǎo)體器件,高分辨成像所設(shè)計(jì)。
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計(jì)提高了低加速電壓性能。
采用全新設(shè)計(jì)的Super E x B能量過濾技術(shù),高效,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號(hào)。