nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
薄膜實驗裝置緊湊型系列，nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置，nanoCVD-8G，nanoCVD-8N，石墨烯/碳納米管合成儀，nanoPVD-S10A磁控濺射裝置，nanoPVD-T15A有機膜/金屬膜沉積裝置，nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設備，nanoEM高真空EM鍍膜設備
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
薄膜實驗裝置緊湊型系列，nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置，nanoCVD-8G，nanoCVD-8N，石墨烯/碳納米管合成儀，nanoPVD-S10A磁控濺射裝置，nanoPVD-T15A有機膜/金屬膜沉積裝置，nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設備，nanoEM高真空EM鍍膜設備
產品介紹
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置
每批只需30分鐘，即可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管
CVD法（化學氣相沉積）
CVD法是一種穩(wěn)定的技術，已經被建立用于多種用途，并且是考慮未來大規(guī)模合成石墨烯和CNT時最現(xiàn)實的方法。我們就在這里。制造商 Moorfield 與英國國家研究院合作多次驗證了該沉積測試設備。在研究機構的合作下，已經證實可以利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數據來創(chuàng)建高質量的石墨烯和碳納米管樣品。
冷壁CVD
采用冷壁式/高溫樣品加熱臺（熱板），反應速度快，重現(xiàn)性好。設備緊湊，處理時間短，可操作性優(yōu)良，可創(chuàng)建并保存30種合成配方。除了標準的系統(tǒng)配置外，我們還可以根據要求定制設備配置。納米CVD系統(tǒng)雖然很小，但卻是一個具有無限可能性的實驗裝置，為基礎研究和開發(fā)領域做出了貢獻。
特征
石墨烯/碳納米管（SWNT）沉積實驗可以輕松進行，無需使用大型設備。
每批只需30分鐘！
冷壁法高效高精度過程控制
快速升溫：RT→1100℃/約3分鐘
高性能機器，具有高精度溫度流量控制和出色的再現(xiàn)性
操作簡單！通過5英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可以創(chuàng)建和保存 30 個配方和 30 個步驟的合成程序。
標配專用軟件，CSV 文件輸出 PC 上的數據記錄
USB線連接，PC端創(chuàng)建的菜譜可上傳至設備
nanoPVD-S10A磁控濺射裝置
高性能RF/DC磁控濺射設備
連續(xù)多層鍍膜、雙源同時鍍膜、APC自動壓力控制
極限壓力：5 x10-5 帕斯卡
多達 3 個源 Φ2" 磁控管陰極
自動多層連續(xù)薄膜，可同時薄膜沉積
直觀操作 多功能軟件“Intellidep”
用于連接 Windows PC 的遠程軟件“IntelliLink”
高性能RF/DC磁控管型濺射設備。雖然它很小，但它是一種滿足追求高性能而又不影響薄膜質量（例如一般金屬薄膜、絕緣體和化合物）的用戶的設備。支持多達 3 源陰極、多層連續(xù)薄膜和同步沉積（*僅限 RF 和 DC 組合）。有許多選項，例如加熱器、旋轉/升降、磁性材料陰極以及使用電容壓力計的高精度壓力控制。
nanoPVD-T15A有機膜/金屬膜沉積裝置
緊湊、高性能、
高性能有機膜和金屬膜沉積設備
Φ2英寸?Φ4英寸板
緊湊尺寸：804(W) x 560(D) x 600(H)mm
是一款高性能的“有機膜/金屬膜氣相沉積”設備。采用Moorfield的有機沉積源“LTE1”和金屬材料沉積源“TE1-Box屏蔽型”，具有優(yōu)異的溫度響應性、穩(wěn)定性和再現(xiàn)性。適用于OLED、OPV、OTFT等有機薄膜沉積以及金屬材料沉積。一種多功能設備，最多可配備2個金屬氣相沉積源和最多4個有機氣相沉積源，還可以進行自動連續(xù)多層沉積和同時沉積。
