nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA

nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA

薄膜實(shí)驗(yàn)裝置緊湊型系列，nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置，nanoCVD-8G，nanoCVD-8N，石墨烯/碳納米管合成儀，nanoPVD-S10A磁控濺射裝置，nanoPVD-T15A有機(jī)膜/金屬膜沉積裝置，nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設(shè)備，nanoEM高真空EM鍍膜設(shè)備

產(chǎn)品介紹

nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置

每批只需30分鐘，即可輕松合成高質(zhì)量石墨烯和碳納米管

CVD法（化學(xué)氣相沉積）

CVD法是一種穩(wěn)定的技術(shù)，已經(jīng)被建立用于多種用途，并且是考慮未來(lái)大規(guī)模合成石墨烯和CNT時(shí)最現(xiàn)實(shí)的方法。我們就在這里。制造商 Moorfield 與英國(guó)國(guó)家研究院合作多次驗(yàn)證了該沉積測(cè)試設(shè)備。在研究機(jī)構(gòu)的合作下，已經(jīng)證實(shí)可以利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數(shù)據(jù)來(lái)創(chuàng)建高質(zhì)量的石墨烯和碳納米管樣品。

冷壁CVD

采用冷壁式/高溫樣品加熱臺(tái)（熱板），反應(yīng)速度快，重現(xiàn)性好。設(shè)備緊湊，處理時(shí)間短，可操作性?xún)?yōu)良，可創(chuàng)建并保存30種合成配方。除了標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)配置外，我們還可以根據(jù)要求定制設(shè)備配置。納米CVD系統(tǒng)雖然很小，但卻是一個(gè)具有無(wú)限可能性的實(shí)驗(yàn)裝置，為基礎(chǔ)研究和開(kāi)發(fā)領(lǐng)域做出了貢獻(xiàn)。

特征

石墨烯/碳納米管（SWNT）沉積實(shí)驗(yàn)可以輕松進(jìn)行，無(wú)需使用大型設(shè)備。

每批只需30分鐘！

冷壁法高效高精度過(guò)程控制

快速升溫：RT→1100℃/約3分鐘

高性能機(jī)器，具有高精度溫度流量控制和出色的再現(xiàn)性

操作簡(jiǎn)單！通過(guò)5英寸觸摸屏進(jìn)行操作和配方管理

最多可以創(chuàng)建和保存 30 個(gè)配方和 30 個(gè)步驟的合成程序。

標(biāo)配專(zhuān)用軟件，CSV 文件輸出 PC 上的數(shù)據(jù)記錄

USB線(xiàn)連接，PC端創(chuàng)建的菜譜可上傳至設(shè)備

nanoPVD-S10A磁控濺射裝置

高性能RF/DC磁控濺射設(shè)備

連續(xù)多層鍍膜、雙源同時(shí)鍍膜、APC自動(dòng)壓力控制

極限壓力：5 x10-5 帕斯卡

多達(dá) 3 個(gè)源 Φ2" 磁控管陰極

自動(dòng)多層連續(xù)薄膜，可同時(shí)薄膜沉積

直觀操作 多功能軟件“Intellidep”

用于連接 Windows PC 的遠(yuǎn)程軟件“IntelliLink”

高性能RF/DC磁控管型濺射設(shè)備。雖然它很小，但它是一種滿(mǎn)足追求高性能而又不影響薄膜質(zhì)量（例如一般金屬薄膜、絕緣體和化合物）的用戶(hù)的設(shè)備。支持多達(dá) 3 源陰極、多層連續(xù)薄膜和同步沉積（*僅限 RF 和 DC 組合）。有許多選項(xiàng)，例如加熱器、旋轉(zhuǎn)/升降、磁性材料陰極以及使用電容壓力計(jì)的高精度壓力控制。

nanoPVD-T15A有機(jī)膜/金屬膜沉積裝置

緊湊、高性能、

高性能有機(jī)膜和金屬膜沉積設(shè)備

Φ2英寸?Φ4英寸板

緊湊尺寸：804(W) x 560(D) x 600(H)mm

是一款高性能的“有機(jī)膜/金屬膜氣相沉積”設(shè)備。采用Moorfield的有機(jī)沉積源“LTE1”和金屬材料沉積源“TE1-Box屏蔽型”，具有優(yōu)異的溫度響應(yīng)性、穩(wěn)定性和再現(xiàn)性。適用于OLED、OPV、OTFT等有機(jī)薄膜沉積以及金屬材料沉積。一種多功能設(shè)備，最多可配備2個(gè)金屬氣相沉積源和最多4個(gè)有機(jī)氣相沉積源，還可以進(jìn)行自動(dòng)連續(xù)多層沉積和同時(shí)沉積。