產(chǎn)品名稱：介電常數(shù)測(cè)試儀介紹
產(chǎn)品型號(hào)：LJD-B、LJD-C、QS-37
符合標(biāo)準(zhǔn)：GB/T1409、GB/T5594
產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試
適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等
測(cè)試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ
主要配置：主機(jī)Q表、夾具、電感組成
測(cè)試項(xiàng)目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值
使用人群：科研所、教學(xué)、質(zhì)量、單位等
付款方式：全款發(fā)貨
產(chǎn)品品牌：縱橫金鼎
產(chǎn)品貨期：1-3個(gè)工作日
產(chǎn)品類(lèi)別：電性能檢測(cè)儀器
介電常數(shù)測(cè)量?jī)xLKI-2電感組
LKI-2型電感組共包括不同電感量的電感9個(gè)，凡儀器在進(jìn)行測(cè)試線圈的分布電容量，電容器的電容量，高頻介質(zhì)損耗，高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時(shí)，必須用電感組作輔助工具。
本電感組有較高Q值，能使儀器測(cè)量時(shí)得到尖銳諧振點(diǎn)，因而增加其測(cè)量的準(zhǔn)確度，各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表：
電感No | 電感量 | 準(zhǔn)確度% | Q值≥ | 分布電容約略值 | 諧振頻率范圍 MHz | 適合介電常數(shù)測(cè)試頻率 | |
LJD-B | LJD-C | ||||||
1 | 0.1μH | ±0.05μH | 180 | 5pF | 20~70 | 31~103 | 50MHz |
2 | 0.5μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 10~37 | 14.8~46.6 | 15MHz |
3 | 2.5μH | ±5% | 200 | 5pF | 4.6~17.4 | 6.8~21.4 | 10MHz |
4 | 10μH | ±5% | 200 | 6pF | 2.3~8.6 | 3.4~10.55 | 5MHz |
5 | 50μH | ±5% | 180 | 6pF | 1~3.75 | 1.5~4.55 | 1.5MHz |
6 | 100μH | ±5% | 200 | 6pF | 0.75~2.64 | 1.06~3.20 | 1MHz |
7 | 1mH | ±5% | 150 | 8pF | 0.23~0.84 | 0.34~1.02 | 0.5MHz |
8 | 5mH | ±5% | 130 | 8pF | 0.1~0.33 | 0.148~0.39 | 0.25MHz |
9 | 10mH | ±5% | 90 | 8pF | 0.072~0.26 | 0.107~0.32 | 0.1MHz |
介電常數(shù)測(cè)量?jī)x附錄 二
一 如何測(cè)試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)
1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面，上下層錫箔紙不能接觸。錫箔紙厚度為DX;
2 超薄材料需要疊加：疊加方式如下
250μ貼合6層后測(cè)試；
200μ貼合8層后測(cè)試；
175μ貼合9層后測(cè)試；
125μ貼合12層后測(cè)試；
100μ貼合15層后測(cè)試；
75μ貼合20層后測(cè)試；
50μ貼合30層后測(cè)試。
3 計(jì)算公式
Σ＝(D2-2*DX)/(D4-2*DX)
4 介質(zhì)損耗系數(shù)測(cè)試同理
七、產(chǎn)品的交收檢驗(yàn)
1．檢驗(yàn)環(huán)境要求
a．環(huán)境溫度：20℃±2℃ 相對(duì)濕度<50％；
b．供電電源：220V±10V 50Hz±1Hz；
c．被檢設(shè)備要預(yù)熱30分鐘以上。
2．檢驗(yàn)設(shè)備要求
a. 設(shè)備應(yīng)在計(jì)量后的有效使用期內(nèi)；
b. 檢驗(yàn)設(shè)備應(yīng)按儀器規(guī)定預(yù)熱。
3．Q值指示檢驗(yàn)
a．檢驗(yàn)設(shè)備：BQG-2標(biāo)準(zhǔn)線圈一套；
b．把標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈接入LJD-C測(cè)試儀電感接線柱上；
c．選擇標(biāo)準(zhǔn)Q值線圈所規(guī)定的檢定頻率；
d．LJD-C測(cè)試儀的Q值讀數(shù)的相對(duì)誤差應(yīng)符合二.1.C條固有誤差所規(guī)定。
4．調(diào)諧電容器準(zhǔn)確度檢驗(yàn)
a. 測(cè)試時(shí)如發(fā)現(xiàn)干擾，應(yīng)斷開(kāi)內(nèi)部信號(hào)源。
b．設(shè)備連接如圖六所示，連接線應(yīng)盡量短，盡可能減小分布電容；
圖 六
c．電容測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)
測(cè)試范圍：10-550pF、±5pF；
測(cè)試精度：10-550pF±0.1％、±5pF±0.05pF；
d．調(diào)諧電容器刻度盤(pán)上指示值與電容測(cè)試儀指示值之間誤差應(yīng)符合二.3.條規(guī)定。
5．頻率指示誤差檢驗(yàn)
a．設(shè)備連接如圖七所示
圖 七
b．從后面板的頻率監(jiān)測(cè)端用BNC電纜連至頻率計(jì)數(shù)器輸入端；
c．頻率計(jì)數(shù)器技術(shù)要求
測(cè)量范圍：10Hz-1000MHz；
測(cè)量誤差：<1×10-6；
測(cè)量靈敏度：<30mV；
d．測(cè)試線要求：高頻電纜$YV-50-3；
e．-B測(cè)試儀頻率指示值與頻率計(jì)數(shù)器讀數(shù)值間的誤差應(yīng)符合二.4.條規(guī)定。
附：貼片元件測(cè)試夾具使用方法
當(dāng)采用我公司生產(chǎn)的QBG-3D/3E及LJD-C測(cè)試儀及配上相應(yīng)的貼片元件測(cè)試夾具時(shí)可對(duì)貼片電容及貼片電感進(jìn)行電容量、電感量及Q值、tgδ值的測(cè)量，測(cè)量時(shí)只要將測(cè)試夾具接入相應(yīng)的Lx或Cx接線柱內(nèi)，然后按說(shuō)明書(shū)中“3”高頻線圈電感值的測(cè)量及“5”電容器電容量的測(cè)量方法進(jìn)行測(cè)量。
注意：因貼片元件尺寸較小，規(guī)格又不盡相同，因此放入夾具時(shí)應(yīng)保持盡量居中并保證接觸良好。
在測(cè)量小電感時(shí)，為了測(cè)試值的正確性，測(cè)得的讀數(shù)應(yīng)減去儀器的測(cè)試回路的剩余電感值，QBG-3D約27nH，QBG-3E約26nH，LJD-C約7nH（包括測(cè)試夾具）。
ASTM D150-11
實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和
電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法1
本標(biāo)準(zhǔn)是以固定代號(hào)D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過(guò)的年號(hào)；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號(hào)；圓括號(hào)中數(shù)字為上一次重新確認(rèn)的年號(hào)。上標(biāo)符號(hào)（ε）表示對(duì)上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
本標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)批準(zhǔn)用于所有機(jī)構(gòu)。
1.介電常數(shù)測(cè)試儀范圍
1.1 本試驗(yàn)方法包含當(dāng)所用標(biāo)準(zhǔn)為集成阻抗時(shí)，實(shí)心電絕緣材料樣本的相對(duì)電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測(cè)定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。
注1：在普遍的用法，“相對(duì)”一詞經(jīng)常是指下降值。
1.2 這些試驗(yàn)方法提供了各種電極，裝置和測(cè)量技術(shù)的通用信息。讀者如對(duì)某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標(biāo)準(zhǔn)或直接適用于被測(cè)試材料的其它文件。2,3
1.3 本標(biāo)準(zhǔn)并沒(méi)有列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實(shí)際使用情況進(jìn)行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責(zé)任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險(xiǎn)說(shuō)明見(jiàn)7.2.6.1和10.2.1。
1 本規(guī)范歸屬于電學(xué)和電子絕緣材料ASTM D09委員會(huì)管轄，并由電學(xué)試驗(yàn)D09.12附屬委員分會(huì)直接管理。
當(dāng)前版本核準(zhǔn)于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準(zhǔn)。前一較新版本于2004年批準(zhǔn)，即為 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。
2 R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測(cè)量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能, 測(cè)量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.
3 R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實(shí)心絕緣材料的電學(xué)性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
2.介電常數(shù)測(cè)試儀引用文件
2.1 ASTM標(biāo)準(zhǔn)：4
D374 固體電絕緣材料厚度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
D618 試驗(yàn)用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程
D1082 云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗(yàn)方法
D1531 用液體位移法測(cè)定相對(duì)電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗(yàn)方法
D1711 電絕緣相關(guān)術(shù)語(yǔ)
D5032 用飽和甘油溶液方式維持恒定相對(duì)濕度的規(guī)程
E104 用水溶液保持相對(duì)恒定濕度的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
E197 室溫之上和之下試驗(yàn)用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）5
3.介電常數(shù)測(cè)試儀術(shù)語(yǔ)
3.1 定義：
3.1.1 這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語(yǔ)定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語(yǔ)定義見(jiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)D1711。
3.2 本標(biāo)準(zhǔn)術(shù)語(yǔ)定義：
3.2.1 電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢(shì)差時(shí)，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲(chǔ)存電分離電荷的性能。
3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫(kù)倫為單位，電位采用伏特為單位時(shí)，電容單位為法拉，即：
C=q/V ?。?）
3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對(duì)電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見(jiàn)圖1和圖2）。
D=K''/K' (2)
4 相關(guān)ASTM標(biāo)準(zhǔn)，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，astm.org或與ASTM客服service聯(lián)系。ASTM標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)卷次信息，可參見(jiàn)ASTM網(wǎng)站標(biāo)準(zhǔn)文件匯總。
5 該歷史標(biāo)準(zhǔn)的較后批準(zhǔn)版本參考網(wǎng)站.astm.org。
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中：
G=等效交流電導(dǎo)，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時(shí)成為儲(chǔ)能因子。對(duì)于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)
