設(shè)備介紹
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),通過(guò)用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測(cè)器的時(shí)間不同來(lái)測(cè)定離子質(zhì)量,具有分辨率的測(cè)量技術(shù)。
儀器型號(hào)
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜IONTOF 5
技術(shù)參數(shù)
- TOF.SIMS 5 – 100包括分析器,真空系統(tǒng),軟硬件等基本配置
- Bi Nanoprobe第二代液態(tài)金屬團(tuán)簇離子源,30kV,離子光學(xué)鏡筒,3級(jí)透鏡
- Gas Cluster離子源20kV氣體團(tuán)簇離子源
- DSC-S用于深度剖析濺射用離子源的連接控制裝置
案例展示
應(yīng)用范圍
應(yīng)用范圍:當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測(cè)試方法無(wú)法準(zhǔn)確對(duì)異物進(jìn)行定性定量分析,可選擇TOF-SIMS.