| | 設(shè)備簡介： 該產(chǎn)品是由固態(tài)等離子源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成，采用集中總線控制技術(shù)的諾巴迪操作軟件。適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。 | |||
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配置詳情
| | 1. 清洗鍍膜一氣呵成，杜絕二次污染； 2. 上開啟式結(jié)構(gòu)，方便觀察試樣； 3. 產(chǎn)品采用全自動控制方式，觸摸屏，數(shù)字化顯示； 4. 設(shè)備一體化程度高； 5. 穩(wěn)定的射頻電源，均勻的溫度分布，提高成膜質(zhì)量； | |||||||||
| 產(chǎn)品型號 | NBD-PECVD1200-80IT | |||||||||
| 電氣規(guī)格 | AC220V 4KW | |||||||||
| 可達溫度 | 1200 ℃ | |||||||||
| 連續(xù)溫度 | 1150℃ | |||||||||
| 可達加熱速率 | ≤ 20 ℃/分鐘 | |||||||||
| 射頻電源 | 300或500W 13.56MHz | |||||||||
| 爐管尺寸 | Φ80*1200mm | |||||||||
| 沉積示意圖 | | 如圖所示：此為該設(shè)備沉積過程中的示意圖 | ||||||||
| 控制系統(tǒng) | | 1.NBD-101EP嵌入式操作系統(tǒng)中英文互換圖形界面，7寸真彩觸屏輸入，智能式人機對話模式，實時加熱功率顯示，非線性式樣溫度修正；實驗報告自主生成，實驗數(shù)據(jù)無限次導出。 2.實驗過程更加直觀，操作更加便捷； 3.具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能。 | ||||||||
| 溫度精度 | +/- 1 ℃ | |||||||||
| 加熱元件 | | Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金 | ||||||||
| 密封系統(tǒng) | | | | |||||||
| 真空度：≤10Pa（機械泵） | ||||||||||
| 壓力測量與監(jiān)控 | | 采用數(shù)顯真空計，可使設(shè)備真空度更加直觀，實驗結(jié)果更加準確。 | ||||||||
| 供氣系統(tǒng) | | 采用兩路質(zhì)子流量計精確控制氣體流速，與設(shè)備集成為一體； | ||||||||
| 凈重 | 360KG | |||||||||
| 設(shè)備使用注意事項 |
1. 設(shè)備爐膛溫度≥300℃時，禁止打開爐膛，避免受到傷害； 2. 設(shè)備使用時，爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa（壓力），以防止壓力過大造成設(shè)備損壞； 3. 真空下使用時，設(shè)備使用溫度不得超過800℃。
4. 供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高，向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在選購試驗用小壓力減壓閥，減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時會更加精確安全。 5.當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當，保持在常壓狀態(tài)； 6.高純石英管的長時間使用溫度≦1100℃ 7.加熱的實驗時，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若壓力表讀數(shù)大于0.15MPa，必須立刻打開排氣端閥門，以防意外發(fā)生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）
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| 服務(wù)支持 | 1年質(zhì)保，提供終身支持（保修范圍內(nèi)不包括易耗部件，例如爐管和密封圈等）。 | |||||||||
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