SUSS MicroTec為熱門化合物半導體工藝專門設計了一款新型光刻平臺:MA100/150e Gen2?;衔锇雽w工藝,是指諸如高亮發(fā)光二極管(HB-LEDs)、功率器件、RF-MEMS等方面的半導體應用。MA100/150e Gen2具備高精度對準功能,上至0.7µm的光刻分辨率,擁有為易碎、翹曲或透明晶圓片定制的傳載系統(tǒng)等強大功能和配置,足以應對LED制造領域目前所有的工藝難題。它的推出將幫助客戶提高制造效率,并有效降低成本。
基于SUSS MicroTec的光刻機經(jīng)典設計,MA100/150e Gen2提供了的工藝延展性,使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O計快速投入市場,其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達每小時145片。
MA100/150e Gen2針對上至4英寸的小尺寸晶圓片進行了特別優(yōu)化設計。系統(tǒng)可以穩(wěn)定地達到優(yōu)于0.7µm的對準精度(直接對準)。選配的底部對準功能(BSA),對準精確度優(yōu)于±1.5 µm。MA100/150e的對準單元針對LED制造工藝要求進行了特別調(diào)校,透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得的對比度。