磁光克爾效應測量系統(tǒng) 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。

技術參數：

1·光學平臺：

剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。

2·矢量電磁鐵：

錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內均勻區(qū)1%。

3·電磁鐵電源：

錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩(wěn)定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。

4·激光器： Newport 632.8nm，2mW，2%穩(wěn)定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。

5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。

6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。

7·四分之一波片：?25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。

8·光電傳感器：15mm2感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。

9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05%

10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second

11·手動位移和電動旋轉樣品桿： XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。

12·計算機：聯想商用，集成多串口卡。