基型技術(shù)指標(biāo):
◆溫度控制:
控溫范圍:室溫上7℃~400℃(增量1℃)
控溫對(duì)象:柱箱、離子化室、熱導(dǎo)池、進(jìn)樣器A、進(jìn)樣器B、輔助(備用)
程升階數(shù):五階
程升速率:0.1℃~40℃/min(增量0.1℃)
◆火焰離子化檢測(cè)器(FID):
敏感度:DFID≤1×10-11g/s(樣品:C16)
測(cè)試結(jié)果:DFID≤5×10-12g/s
基線噪聲:≤5×10-14A
基線漂移:≤6×10-13A/h
線性范圍:≥106
GC122專用選配檢測(cè)器: