(測定三氯氫硅中痕量磷儀器GC3900)
一、 前言
半導(dǎo)體硅材料中磷含量的高低，直接影響器件的電性能。隨著硅材料研究及生產(chǎn)的不斷提高，對于原材料三氯氫硅中磷的測試靈敏度、速度、準確度提出高要求。
三氯氫硅中雜質(zhì)磷的分析，傳統(tǒng)的方法為將雜質(zhì)磷轉(zhuǎn)變成磷鉬雜多酸，再還原成磷鉬藍進行比色測定。在此基礎(chǔ)上后來有改進，諸如經(jīng)苯肟酮或硫氰化銨比色測定鉬，或利用化學(xué)光譜法測出鉬量進而間接換算出磷含量；取樣量等。雖然在靈敏度上有提高，但都要經(jīng)過使磷形成磷鉬雜多酸這一過程。為要形成穩(wěn)定的絡(luò)合物來分離基本和消除雜質(zhì)干擾，化學(xué)分離手續(xù)相當(dāng)繁雜，分析時間長，而且，測定靈敏度也不能滿足生產(chǎn)上的要求。
滕州瑞能分析儀器有限公司 為了提高三氯氫硅中雜質(zhì)磷分析靈敏度和速度，相關(guān)科研人員為此做了大量工作，并取得了成績。例如，有專家采用氣相色譜法測定了三氯氫硅中以PCL3與POCL3形式存在的磷含量。然而，三氯氫硅中雜質(zhì)磷還可能以其他形式存在(例如，PCL5、PSCL3)，因此，欲采用氣相色譜法測定總磷含量，首先要保證樣品中以各種形式存在的磷都能從分離柱中流出，這無疑是一項很艱巨的工作，至今尚未見到報道。又例如，有專家采用“ICP—MS”法測定三氯氫硅中痕量雜質(zhì)磷，測試方法雖然簡捷，遺憾的是，測定靈敏度下限僅為0.3PPb，不能滿足多晶硅生產(chǎn)工藝對三氯氫硅中雜質(zhì)磷的分析要求(工藝要求三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量應(yīng)小于0.1PPb)。

二、滕州瑞能分析儀器有限公司研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。
針對上述現(xiàn)狀，我們?nèi)鹉芄こ處熃?jīng)過多年的經(jīng)驗，與大量的切合實戰(zhàn)分析，研制出測定三氯氫硅中痕量磷儀器“高溫氫還原—火焰光度氣相色譜儀”。進幾年瑞能已在國內(nèi)硅行業(yè)多個生產(chǎn)廠家得到應(yīng)用，與價格昂貴的“ICP-MS”法比較有廉價實用，快速測定，痕量(≤0.06PPb)分析，耗材低等特性。對于快速反應(yīng)指導(dǎo)三氯氫硅生產(chǎn)工藝，加提純硅產(chǎn)品，為社會提供優(yōu)質(zhì)的單晶硅產(chǎn)品，是我們?nèi)鹉芄就瞥龃颂追治鰞x器的宗旨，也是您可信賴的合作伙伴。

三、GC3900儀器的特點和指標
1、 所測三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量為總磷含量；
2、 三氯氫硅中雜質(zhì)磷含量測定下限為0.06PPb；
3、 測定手續(xù)簡便只需用注射針筒向儀器注入三氯氫硅即可；
4、 測定周期短，自注入三氯氫硅到測出峰高(或面積)需時20分鐘；
5、 儀器結(jié)構(gòu)簡潔、直觀，便于使用和維修。