硅單晶是一種可用于制作集成電路和半導(dǎo)體器件等的半導(dǎo)體材料，屬于非金屬元素，對(duì)于探測(cè)器級(jí)硅單晶、電路級(jí)硅單晶等電力電子器件及大功率晶體管都是可將會(huì)用到硅單晶，在進(jìn)行微電子工業(yè)的加工過程中需要用到一定要求的純水，如工業(yè)純水的水質(zhì)要求沒有達(dá)到要求則會(huì)對(duì)產(chǎn)品的使用造成一定的影響，下面介紹關(guān)于硅單晶微電子工業(yè)用的水處理設(shè)備。

　　該純水設(shè)備可根根電子工業(yè)對(duì)于純水的水質(zhì)要求進(jìn)行劃分，純水水質(zhì)電阻率細(xì)分到0.5MΩ.cm、2MΩ.cm、10MΩ.cm、15MΩ.cm、18MΩ.cm、18.2MΩ.cm等之間。

　　電子純水處理設(shè)備由預(yù)處理系統(tǒng)、離子交換混床(EDI電除鹽系統(tǒng))系統(tǒng)、RO反滲透主機(jī)系統(tǒng)等結(jié)構(gòu)構(gòu)成主要設(shè)備，其中預(yù)處理系統(tǒng)可根據(jù)當(dāng)?shù)氐脑|(zhì)選擇采用鈉離子軟化器、精密過濾器、多介質(zhì)過濾器、活性碳過濾器等工藝。

　　水處理設(shè)備根據(jù)出水水質(zhì)分為離子交換樹脂、反滲透水處理設(shè)備與離子交換設(shè)備結(jié)合、反滲透設(shè)備與電去離子(EDI)設(shè)備結(jié)合三種主要的水處理工藝。

　　硅單晶微電子離子交換技術(shù)工藝流程：進(jìn)水原水→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→精密過濾器→中間水箱→反滲透設(shè)備→混床(復(fù)床)→超純水箱→超純水泵→后置保安過濾器→用水對(duì)象。

　　采用反滲透技術(shù)作為預(yù)處理工藝，后續(xù)再采用離子交換技術(shù)，優(yōu)勢(shì)在于離子設(shè)備再生周期相對(duì)要長(zhǎng)而且在耗費(fèi)的酸堿方面比單純采用離子樹脂的方式要少很多。

　　以上是對(duì)于微電子工業(yè)用的水處理設(shè)備采用的水處理工藝中的一種，如想了解其他的水處理工藝流程可到宏森環(huán)保進(jìn)行詳情的方案查詢。